GB/T 2900.32-1994电工术语　电力半导体器件.pdf

UDC 621-382-213:001.4 K 04 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 ca/T 2900.32一94 电工术语 电力半导体器件 Electrotechnicalterminology Powersemiconductordevice 1994一05一16发布 1995一01一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 中华 人 民共 和 国国家标 准 GB/T 2900-32-94 电工术语 电力半导体器件 代替GB2900.32-82 Electrotechnicalterminology Powersemiconductordevice 本标准参照采用了国际电工委员会(IEC)出版物747《半导体器件》和出版物50(521)《国际电工词 汇 半导体器件和集成电路》中有关整流管、晶体管、晶闸管及其通用的术语。 主题 内容与适用范围 本标准规定了电力半导体器件的专用术语。 本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。 2 基础术语 2 . 1 物理学名词 2 1 1半导体 semiconductor 一种电阻率通常在金属和绝缘体之间，并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物 质。 2 本征半导体 intrinsicsemiconductor;I一型半导体 I-typesemiconductor 一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体。 3 非本征半导体 extrinsicsemiconductor 一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体。 4 N型半导体 N-typesemiconductor;电子型半导体 electronsemiconductor 一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体。 5P型半导体 P-typesemiconductor;空穴型半导体 holesemiconductor 一种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导体。 6结 junction 在半导体中或金属与半导体之间，具有不同电特性两区域之间的过渡区域。 7PN结 PNjunction 半导体P型区和N型区之间的结。 8合金结 alloyedjunction 由一种或儿种金属材料与半导体晶体合金化形成的结. 9扩散结 diffusedjunction 由杂质扩散进入半导体晶体内形成的结。 10 生长结 grownjunction 由熔融态半导体生长晶体形成的结。 11外延结 epitaxyjunction 在半导体晶体衬底上，沉积生长晶体形成的结。 国家技术监督局1994一05一16批准 1995一01一01实施 cs/T 2900.32一94 键合结 bondingjunction 由不同导电性能的两种半导体晶体直接键合形成的结。 突变结 abruptjunction 在杂质浓度梯度的方向上，结的宽度远小于空间电荷区宽度的一种结。 缓变结 progressivejunction 在杂质浓度梯度的方向上，结的宽度与空间电荷区宽度差不多的一种结。 欧姆接触 ohmiccontact