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半导体器件的基础知识 第三节 半导体二极管 一、二极管的结构、符号与种类 1．结构与符号 一个PN结芯片，加上相应的电极引线和管壳就构成了半导体二极管。 箭头含义：表示二极管正偏导通时电流的实际方向。 2．种类 一般A代表N型锗材料；C代表N型硅材料；B代表P型锗材料；D代表P型硅材料。二、二极管的伏安特性曲线 由以上电路不断改变滑线变阻器的阻值，可得到不同的电压值及对应的电流值，利用这些相互对应的电压、电流值用描点法可得如下二极管伏安特性曲线。 讨论 1.正向特性（UD0的区域） UD=0时，I=0，所以曲线过原点O 当正向电压较小时（UDU th），几乎没有电流，只有当UDU th后电流才随UD的增加而显著增加（按指数规律增长），当电流超过一定值之后，二极管两端的电压几乎稳定不变（对于硅管约为0.6V）。 我们将电压V th称为死区电压或门坎电压。 注意：正偏压不能太大，一般上限不能超过1伏，否则会由于电流过大导致二极管损坏。 2.反向特性（UBRU0） 当反向电压很小时，反向电流IR随UR的增大略有增大，当UR增大到一定值时，几乎所有的少子都参与导电，此时IR便不再随UR增大而变大，此时达到饱和值IRS。 注意：反向饱和电流IRS（教材用IS）与环境温度有关（T↑→IRS↑）。 3.击穿特性（UD≤UBR） 由曲线可以看出，当反向电压大到一定值时（超过UBR）反向电流急剧增大，这种现象称为击穿，UBR称为反向击穿电压。这种现象易造成二极管的损坏，二极管击穿后，不再具有单向导电性。 注意：通过反向特性曲线可以看出，二极管被击穿后，虽然电流变化很大，但是二极管两端的电压基本保持不变，利用这一特性，我们可以制成稳压二极管。 三、二极管的主要参数 1.最大整流电流IFM 指二极管在正偏导通时所被允许通过的最大正向平均电流。 注：二极管在使用时，若电流值超过此值就容易损坏。对于大功率二极管我们在使用时必须要加上散热片。 2.二极管的直流电阻RD 指二极管两端的直流电压与通过它的直流电流的比值。 由伏安特性曲线我们可以看出，电流越大，电阻就越小，故二极管的直流电阻值不是一个常数，所以说二极管是非线性元件。 3.二极管的交流电阻（动态电阻）： 交流电阻值很小，一般只有几欧～几十欧。 4.反向击穿电压UBR 5.最高反向工作电压URM（工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿）。通常将反向击穿电压的三分之一或三分之二定为最高反向工作电压。 6.反向饱和电流IRS 在实际应用中二极管的反向饱和电流是越小越好。 7.最高工作频率fM 注意：由于PN结的结电容和扩散电容的存在，使得二极管最高工作频率受到限制，我们在选用二极管时，要使二极管的最高工作频率高于实际使用的工作频率。 四、二极管的电容效应（极间电容） 二极管除了具有单向导电性外，当加在它两端的电压发生变化时，它还具有一定的电容效应。 二极管的电容效应包括两个部分a、势垒电容（又称结电容）和b、扩散电容 由前讨论可知：若PN结加正向电压，则P区空穴被推入PN结内，N区电子被推入PN结内，此时空间电荷区减小相当于电容放电。若加反向电压，则空穴被拉走，电子也被拉走，此时容间电荷区增加，相当于电容充电。 可见，加不同的电压，对PN结来说，就好比一个电容器的充电放电过程。这种效应我们称之为电容效应，其等效电容称为二极管的极间电容。 1.势垒电容（结电容）记作CB 它是用来描述势垒区的空间电荷随外加电压变化而产生的电容效应。 若外加电压不变，则CB消失，显然CB存在于当外加电压为交变电压时，既只有外加交变电压时才有CB ∝ 对于一个PN结来说，s是不变的，d是随外加电压而变化的。 若加反向电压，则d增加，CB减小。 若加正向电压，则d减小，CB增加。 因为正偏时，则d减小，CB增加，但此时rD较小，可以认为短路。此时可认为电容不起作用。 即在正偏时，CB可忽略。 在加反向电压时，由于rD较大，尽管这时CB较小，但此时电阻rD较大，电路相当于开路，所以此时CB的作用不能忽略。CB起分流作用。 注：CB与普通电容不同之处，在于它的电容量不是定值，而是与外加电压有关。目前广泛应用的变容二极管就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。 只有加反压，输入高频信号时，CB起作用（分流作用）。 2.扩散电容CD 扩散电容与势垒电容的形成机理不同。 对于一个PN结，当加上正偏压后，P区的空穴及N区的电子要相互扩散，空穴及电子在扩散过程中均呈梯度分布。当外加电压增加时，梯度分布变得显著。反之，当外加电压减小时，分布将趋于平均分布。这种由于扩散而显示的电容效应称为扩散电容。 显然，只用在正偏压时，扩散电容CD才显