模电第二章半导体二极管.ppt

2. 3 半导体二极管 (1)、基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 P N P N 符号 + 阳极 - 阴极 PN结 面接触型 点接触型 引线 外壳线 触丝线 基片 半导体二极管图片 {end} (2)、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 正向特性：二极管加正向电压 正极 负极 + – 反向特性：二极管加反向电压 正极 负极 + – 对于理想二极管 锗 管 正向压降0.2--0.3V 硅 管 正向压降0.5--0.7V (3)、主要参数 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 （3）反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等。 （4）微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 （5）二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。 P + - N 这样所产生的电容就是扩散电容CD。 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） 例2.4.2 提示 2.4.2 应用举例 2. 限幅电路 {end} 例1：二极管整流： 死区电压=0 .5V，正向压降 0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流 例2：二极管的应用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo D E 3V R ui uo uR uD 例3：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui = 6 sin? t V, E= 3V,试画出 uo波形 。 ? t ? t ui / V uo /V 6 3 3 0 0 ? 2? ? 2? –6 uR？ * 第2章 半导体二极管及其基本电路 § 2.1 半导体的基本知识 § 2.2 PN 结的形成及特性 § 2.3 半导体二极管 § 2.4 二极管基本电路及其分析方法 § 2. 5 特殊二极管 §2.1 半导体的基本知识 2.1.1 导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 2.1.2 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处