2018年GaN微波功率器件美国、日本、欧洲研究动态.docVIP

GaN微波功率器件美国、日本、欧洲研究动态 　　氮化镓微波功率器件研究动态 　　时间 :2012-08-31 14:19 来源 :未知 作者 :基础产品 　　　　Current Status of GaN Microwave Devices Research and Development ? 　　1工业和信息化部电子工业标准化研究院 2 国防科工局协作配套中心 张 秋 1 程子秦 2 周钦沅 1 　　　　摘 要 氮化镓微波功率器件是继砷化镓微波功率器件之后在21世纪新发展起来的微电子领域的研发热点,追踪研究了美国目前正在进行 的“氮化电子下一代技术”计划、日本正在进行的氮化镓微波器件科研项目、欧洲“ KORRIGA”及“GREAT”项目近况,总结了氮化镓微 波功率器件的发展趋势。 ? 　　关键词 氮化镓 器件 科研 ? 　　Abstract :Tremendous efforts had been paid to the research and development of GaN microwave devices. This paper introduces project NEXT in USA, the NEDO’s effect to develop GaN microwave devices in Japan and project KORRIGAN and GREAT 2 in Europe. ? 　　Keywords :GaN device research and development? 　　1引言 ? 　　新型半导体材料和器件的研究与突破,常常带来新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,是 继以硅(Si)为代表的第一代半导体材料和以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料之后,在近十年迅速发展起来的新型半导体材 料。GaN材料具有宽带隙、大电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点,特别适合制作高频、高效率、 耐高温、耐高电压的大功率微波器件,基于GaN的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)具有输出功率密度大、耐高温、耐辐照等特 点,能满足下一代电子装备对微波功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣条件(更高温度)下工作的要求。可广泛应用于微波 毫米波频段尖端电子装备,在民用通信基站等领域也有广泛的应用,越来越受到高度重视。GaN器件是目前全球半导体研究的前沿和热 点,是各国竞相占领的战略技术制高点。 ? 　　美国、日本和欧洲相继在氮化镓微波功率器件领域启动了相关科研项目,资助并主导氮化镓微波功率器件的研发和产业化。 ? 　　2美国研发GaN器件的情况 ? 　　2.1 宽禁带半导体技术创新(WBGSTI)计划 ? 　　2002年,美国国防部先进研究项目局(DARPA,Defense Advanced Research Projects Agency)意识到GaN材料在毫米波段领域的巨大 潜力,制定了为期八年的宽禁带半导体技术创新(WBGSTI,Wide Bandgap Semiconductor Technology Initiative)计划,分三个阶段完 成。第一阶段为2002~2004年,目标是开发高质量、大直径的碳化硅(SiC)衬底;第二阶段为2005~2007年,目标是实现高效率、高可 靠、高性能的GaN单片微波集成电路(MMIC),并将其应用于几种类型的模块中(这一阶段也叫做WBGS-RF);第三阶段为2008~2009年, 在前两个阶段开发的高性能器件与模块的基础上,逐步将器件与电路模块应用于各种商用系统,包括雷达、智能武器、电子对抗和通信系 统等。 ? 　　2.2 氮化电子下一代技术(NEXT)计划 ? 　　为了把GaN技术再推进一步,DARPA启动了“氮化电子下一代技术(Nitride Electronic Next-Generation Technology)计划”,简称“NEXT计划”。 NEXT计划的主要研发机构包括HRL实验室(负责高级氮电子技术的研发),Northrop Grumman(诺夫·格鲁曼)空间和任务系统公司以及TriQuint半导体公 司。 ? 　　2.2.1 项目目标 ? 　　NEXT计划的目标是研发能够同时实现极高的速度和电压(约翰逊品质因数大于5THz-V)的GaN制造工艺,并且该工艺能满足大规模集 成(在增强型/耗尽型模式下达到集成1000只晶体管)的要求。 ? 　　该项目分为以下两个技术领域:? 　　技术领域1:高集成度氮高电子迁移率晶体管(HEMT); ? 　　其目标为:? 　　a. 减少接触电阻; ? 　　b.降低栅极扩张; ? 　　c.控制器件的电容; ?