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MILC Ni Crystallization induction window 金属诱导侧向晶化 （Metal Induced Lateral Crystallization, MILC） MILC方法是利用Ni等金属薄膜侧向诱导非晶硅薄膜晶化的方法，其主要优点是： 一 晶化温度小于500度，属于低温晶化 二 易于实现大面积晶化的均匀性 三 晶化系统设备投资较低 MILC晶化的主要缺点是： 一 该方法需要较长的处理时间，通常在3小时左右。 二 金属的引入也易于造成污染，使器件中的泄漏电流增大。 低温多晶硅技术 准分子激光晶化方法的主要优点是： 一 激光晶化操作简单，与大规模集成电路工艺兼容性好； 二 处理时间极短，表面层不易污染，易于获得浅的晶化区域； 三 可以高度定域，激光晶化只在退火区域才接受热辐射，其余区域低温状态，变形小，这有利于提高产品的成品率 四 通过控制激光波长和脉冲宽度，可使硅溶化时间短，基板发热小 激光晶化的主要缺点是： 一 光晶化系统设备投资昂贵。 二 由于激光束扫描均匀性等问题，大面积显示器晶化的均匀性有待提高 低温多晶硅技术 材料的蒸发温度在+/-0.1C 膜厚均匀性± 1～3％ 蒸镀过程的中关键设备---Thermball 有机薄膜厚度优化 有机薄膜厚度优化 有机薄膜沉积速率优化 HTL-1 EML-1 有机薄膜沉积速率