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  • 2018-12-23 发布于福建
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非晶薄膜太阳能电池项目可行性研究报告.doc

非晶薄膜太阳能电池项目可行性研究报告

目 录 第一章 项目概述 - 3 - 1.1项目的国内外行业技术背景 - 3 - 1.2我省行业技术背景及项目对我省经济、社会发展的意义和价值 - 4 - 1.3概述项目的目标产品、主要内容、主要研发和产业化前期工作、未来研发和产业化的目标任务 - 13 - 1.4 项目可行性简要分析 - 18 - 1.5 项目计划目标 - 20 - 第二章 项目的技术可行性分析 - 20 - 2.1本项目的基本原理及关键技术内容 - 20 - 2.2工艺路线 - 35 - 2.3论述项目创新点(包括技术创新、产品结构创新、生产工艺创新、产品性能及使用效果的显著变化等。) - 39 - 2.4项目的成果和技术来源、知识产权的情况与归属 - 43 - 2.5简述本项目国内外相关行业发展现状、项目需要解决的关键技术,并与国内外此类产品及技术现行指标进行比较分析 - 44 - 第三章 项目产品市场分析 - 47 - 3.1本项目产品的主要用途、应用领域、需求量及未来市场预测;项目产品的经济寿命期;相关替代产品及其竞争力比较 - 47 - 3.2.本项目产品国内主要研制单位及主要生产厂家的研制开发情况;国内同类在建和已建项目的生产能力、预计投产时间 - 54 - 第四章 项目计划目标及技术指标 - 58 - 4.1总体目标 - 58 - 4.2技术创新目标 - 59 - 4.3技术、质量指标 - 60 - 4.4经济与社会发展目标 - 61 - 第五章 项目实施方案 - 61 - 5.1技术方案 - 61 - 5.2生产方案 - 62 - 5.3.市场方案 - 68 - 第六章 围绕本项目的厂址选择和劳动安全、卫生、消防 - 69 - 6.1 厂址地理位置现状 - 69 - 6.2 建设条件 - 69 - 6.3劳动安全、卫生及消防 - 72 - 第七章 环境保护 - 75 - 7.1 执行标准 - 75 - 7.2 项目区环境现状 - 75 - 7.3 主要污染源及污染物 - 76 - 7.4 环境治理措施 - 76 - 7.5 环境保护结论 - 77 - 第八章 节能 - 77 - 8.1 设计依据 - 77 - 8.2 节能措施 - 77 - 第九章 投资预算与资金筹措 - 79 - 9.1总投资 - 79 - 9.2资金预算和来源说明 - 79 - 9.3项目支出预算 - 79 - 第十章 经济、社会效益分析 - 79 - 10.1产品成本分析 - 79 - 10.2产品单位售价与盈利预测 - 79 - 10.3经济效益分析 - 80 - 10.4项目投资评价 - 80 - 10.5社会效益分析 - 80 - 第十一章 项目风险分析与控制 - 80 - 11.1技术风险 - 80 - 11.2市场风险 - 80 - 第一章 项目概述 1.1项目的国内外行业技术背景 随着能源危机与环境污染问题越来越严重,社会各界对能源消耗的可持续性发展日益重视,尤其引起了各国政府对清洁的、可再生能源的关注和青睐,新型能源成为国际学术界和各国研究、开发的重点,而太阳能是新能源发展的主要方向之一。根据美国能源信息管理局的预测,到2010年,世界煤炭、水力和核能发电将有6.4%的电力供应缺口;到2020年,这一缺口将增至10.7%;这一供应缺口不得不用可再生能源去弥补,而利用太阳能发电将起着重要的作用。如下表1列出了由国家发改委提供的未来几十年预计我国太阳能产业发展情况: 产业规划 2010E 2020E 2030E 2040E 装机容量 30万KWp 180万KWp 1000万KWp 10000万KWp 年发电量 4.2亿KWH 21.6亿KWH 140亿KWH 1500亿KWH 发电比例 4.2% 8% 14.6% 22.5% 表1全国太阳能装机容量及发电量规划 太阳能光伏发电是太阳能利用的一个主要方面,目前常用的太阳能电池有单晶硅电池、多晶硅电池和非晶硅薄膜电池。在欧美一些国家,因为政府的一些优惠政策及单晶硅、多晶硅电池具有研发早、转化效率高、生产工艺成熟等优点,得到了一定数量的推广。但是单晶硅、多晶硅电池组件的硅料提纯、制取过程中消耗大量的电能,发电成本远高于其他能源形式。经分析,单晶硅、多晶硅电池成本下降有两种途径:提高转化率和降低硅片厚度。根据电池转化率和硅片厚度变化趋势可以测算多晶硅系统价格变化趋势,最高值分别是22%和150μm,这个数值接近晶硅的成本极限;根据模型测算,按照年日照1000h测算,2020年多晶硅电池系统的发电成本为2.02元/kW·h;年日照1 300 h的发电成本为1.55元/kW·h,这一数据接近晶硅的成本底线,但仍不足以与煤炭等常规能源相比,市场前景日益黯淡。单晶硅、多晶硅电池的这些缺点在客观上为非晶硅薄膜电

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