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* 第一章 晶体二极管及二极管整流 1.1?晶体二极管 1.2　晶体二极管整流电路 1.3　二极管滤波电路 1.4　硅稳压二极管稳压电路 1.1?晶体二极管 整流二极管 光敏二极管 发光二极管 片状二极管 1.1.1　晶体二极管的单向导电性 1．结构：一个是正极，一个是负极 2．符号： 3．文字：V 4．结论： a．外加电压为正极高电位，负极低电位 时二极管导通，正偏。 b．外加电压为负极高电位，正极低电位时，二极管截止，反偏。 单向导电性：晶体二极管加一定正向电压时导通，加反向电压时截止。 1.1.2　PN结 1. 载流子：半导体中存在的两种导电的带电物体。 （1）自由电子：带负电。 （2）空穴：带正电。 2．P型半导体：在本征半导体中掺三价元素。 空穴数大于自由电子数。 即：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 3．N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。 即：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。 在外电场的作用下具有定向移动的效应，能形成电流。 无论是P型、N型半导体，其正、负电荷总是相等的，整个半导体保持电中性。 PN结：采用掺杂工艺，使硅或锗的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体区域，在P区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层 。 1 结构 2 偏置 ①正向偏置 ②反向偏置 二极管的伏安特性 一 实验线路 二 实验结果 正向特性： (1)当正向电压较小时，正向电流极小，称为死区，死区电压：硅0.5 V，锗0.2 V。 (2)当正向电压大于死区电压时，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。 (3)二极管导通后，两端电压基本稳定，一般硅为0.7 V，锗为0.3 V。 反向特性： (1)当加反向电压时，二极管反向电阻很大，电流极小，此时电流为反向饱和电流。 (2)当反向电压不超过反向击穿电压时，反向饱和电流几乎与反向电压无关。 (3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大，此时反向电压为反向击穿电压。 一、测试基本原理 （1）二极管的伏安特性：正向时，电阻小，导通； 反向时，电阻大，截止。 （2）万用表电阻挡用万用表内部电源。 二极管的简单测试 二、测试方法 三、结论 （1）一次电阻较大（大于几百千欧），一次电阻较小（几百欧、几千欧），说明二极管正常。 （2）阻值小的，与黑笔相接的为二极管的正极。 正向时，电阻小，导通； 反向时，电阻大，截止。 练习 判断下列电路中二极管导通情况 1.2　晶体二极管整流电路 一 整流： 将交流电转换成直流电的过程。 二 整流电路： 利用晶体二极管的单相导电性，将单相交流时间性转换成直流电的电路。 1 半波整流 2 全波整流 1.2.1　单相半波整流电路 一、工作原理 1．电路构成 2．工作分析 （1）单相交流电压v1经变压器降压后输出为v2； （2）当v2正半周时，A为正，B为负。 二极管承受正向电压导通，电路有电流。 3．波形分析 a．v2与v1是变压关系，波形为正弦波。 b．正向导通时，vL与v2几乎相等，即vL随v2同步变化。 c．负载上的电流与电压波形类似，因为是阻性负载。 d．反向截止时，v2的电压加于二极管，二极管反向电压与v2负半周相同。 1.2.2?全波整流电路 1.2.2　单相全波整流电路 一、变压器中心抽头式单相全波整流电路 波形分析 电路 二、单相桥式全波整流电路 电路 问题 （1）v2为正时，导通的二极管是V1，V3，截止的是V2，V4。 （2）画出v2为正时的导通电路。 （3）标出RL上的电流方向。 （4）截止二极管承受的反向电压为？ （5）v2为负时，讨论以上问题。 有一直流负载，需要直流电压VL = 60 V，直流电流IL = 4 A，若采用桥式整流电路，求二次电压，选择二极管。 解：VL = 0.9V2 IV = IL=×4A=2 A VRM = = 1.41×66.7V = 94 V 通过查手册，选用电流大于2 A，额定反向电压为100 V的2CZ12A二极管四只。 1.3　滤波器和稳压器 1.3.1　滤波器 一、滤波 1．将脉动较大的直流电变为变化平缓的直流电的过程。 2．滤波电路：能实现滤波作用的