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4.3 场效应管放大电路 4.3.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1.直流偏置电路 FET是电压控制器件，因此它需要有合适 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： a.自偏压电路； b.分压器式自偏压电路。 (1)自偏压电路 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在VGS=0 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:VGS = -?D R。电容 C对 R起旁 路作用，称为源极旁路 电容。 (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 如图所示，静态时加在 FET上的栅源电压为 : 4.3.2 应用小信号模型法分析FET放大电路 如图所示的共源电路。图中rd通常在几 百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多， 故可以认为其开路。 (1)中频电压增益 上式中的符号表示V0与Vi反相，共源电路 属倒相电压放大电路。 (2)输入电阻 Ri = rgs ||[Rg3+( Rg1+Rg2 )] 通常 rgs ? [Rg3+(Rg1|| Rg2 )] 故 Ri ≈ Rg3+ (Rg1|| Rg2 ) (3)输