场效应管放大路18002.pptVIP

第四章 场效应管放大电路 教学内容： 本章首先介绍了各类场效应管的结构、 工作原理、特性曲线及参数，然后介绍场效 应管放大电路和各种放大器件电路性能的比 较。 教学要求： 本章需要重点掌握场效应管的模型与 特性，场效应管基本法大电路静态工作点 的确定和输入电阻、输出电阻、电压放大 倍数得计算。 场效应管是一种利用电场效应来控制其电 流大小的半导体器件。根据结构的不同，场效 应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和金 属 -氧化物 -半导体场效应管(MOSFET)。每一 类又有N沟道和P沟道两种类型。 MOSFET 简称 MOS管，每一类又可分成增强型和耗尽型。 4.1 结型场效应管 JFET是利用半导体内的电场效应进行工作 的，也称为体内场效应管。 2.工作原理 N沟道JFET工作时，在栅极与源极间需加一 负电压(VGS0),使栅极、沟道间的PN结反偏，栅 极电流iG≈0,场效应管呈现高达 107?以上的输 入电阻。在漏极与源极间加一正电压( VDS 0) 使N沟道中的多数载流子(电子)在电场作用下由 源极向漏极运动，形成电流iD。 (1) VG