实验报告-光敏电阻基特性的测量.docxVIP

实 验 报 告 姓 名： 班 级： 学 号： 实验成绩： 同组姓名： 实验日期：08/4/14 指导老师：助教15 批阅日期： 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 了解简单光路的调整原则和方法. 在一定照度下，测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 在一定电压下，测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时，固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增加。电导率的改变量为：Δσ=Δp×e×μp+Δn×e×μn 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料．目前生产的光敏电阻主要是硫化镉．光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点，被广泛地用于自动化技术中． 本实验光敏电阻得到的光照Φ由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为α时，光照Φ为Φ=Φ0 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。 3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后，就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图： 表中记录的数据为Iph的值，单位为 α U(V) 0 30 6 90 0 0.0 0.0 0.00 0.000 1 2.7 2.2 1.28 0.065 2 5.4 4.5 2.58 0.138 3 8.2 7.0 3.77 0.201 4 11.0 9.5 5.05 0.271 5 13.8 12.0 6.26 0.339 6 16.8 14.6 7.51 0.407 7 19.8 17.2 8.75 0.484 8 22.8 19.9 10.01 0.551 9 25.9 22.6 11.32 0.619 10 29.0 25.4 12.63 0.687 11 32.1 28.2 13.93 0.757 12 35.2 31.0 15.35 0.836 下面绘出各个照度对应的U~I α= 线性拟合结果如下： Y = A + B * X Parameter Value Error A 0.17952 0.05409 B 0.33977 0.00266 ------------------------------------------------------------ R SD N P 0.99966 0.10544 3 0.0001 所以此时Ｒ＝?339 α= 线性拟合结果如下： Y = A + B * X Parameter Value Error A 0.25369 0.0669 B 0.38486 0.00376 R SD N P 0.99948 0.13157 13 0.0001 所以此时Ｒ＝ α= 线性拟合结果如下： Y = A + B * X Parameter Value Error A 0.0252 0.03197 B 0.78903 0.00358 R SD N P 0.99989 0.06117 13 0.0001 ------------------------------------------------------------ 所以此时Ｒ＝ α= 线性拟合结果如下： Y = A + B * X Parameter Value Error A 0.06568 0.02854 B 14.40637 0.05862 R SD N P 0.99991 0.05489 13 0.0001 所以此时 对上面实验结果的一点分析： 1. 可以发现,当α=90°时，即光照最弱时，光敏电阻的阻值很大，可达一万四千多欧姆，随着光照的加强时，光敏电阻的阻值在不断减小，在α=0°时，即在当时的最强光照时，光敏电阻的阻值已经降到了三百余欧姆，可见其变化幅度很大。据查资料显示，在完全黑暗时，光敏电阻的阻值甚至可达几兆 2. 还有重要的一点是，我们从“马吕斯定律”知道，这里光照强度与cosα2成正比，所以根据这几个数据点可以发现光敏电阻的阻值随光照强度的变化“似乎”不是线性的 2测量光敏电阻的照度与光电流的关系 首先调整好光路与电路，便可开始测量，整张数据表格将在下一