八章固相过已程与高温合成补充内容.pptVIP

* 陶瓷电容器的应用 工艺上采用多层结构制作方法，可以制成大容量电容器，介电常数可达20000，而且烧成温度低，在800~1000℃(对含Pb系统易达到)。利用Sol-Gel方法及化学共沉淀法，膜厚可降至15μm以下，以增大单位体积的电容量。多层电容器适合于表面安装，用于混成集成电路及印刷电路板插座。 * 透明铁电陶瓷（电光陶瓷） 陶瓷制造工艺的发展，出现了热压法，高纯超细粉末的制备法等可以控制其显微结构和晶界性质的方法，使之成为透明陶瓷。一般Al2O3、Y2O3、MgO、BeO、ThO2、Y3Al5O12/Nd等均可制成透明陶瓷。掺镧的锆钛酸铅（PLZT），既具有透明性，又具有铁电性和压电性，其光学性质与铁电性密切相关。 * PLZT透明陶瓷（电光陶瓷）的制备 PLZT陶瓷粉体应高纯，粒度要小（达0.1μm, 保证每个晶粒的化学成分尽可能相同，常采用醇盐水解法。为了获得透明度高的陶瓷，要求晶粒本身透明，小的各向异性，须排除内部气孔，通常采用通氧热压烧结法烧结成品。烧结后的制品，再经过研磨、切割、抛光成透明的PLZT陶瓷片，在PLZT陶瓷片上制成不同的电极，再组装成各种光学器件。 * 压电陶瓷 压电效应－ 1880年居里兄弟发现，在石英晶体上施加应力即有电荷释放出来（图16－5）。随后又发现，石英晶体的形状会受外加电场的作用发生微小的变化。于是，便把前者称为正压电