第三章双极晶管直流特性.ppt

双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 5、共发射极输出特性 以输入端的IB 为参变量，输出端的 IC 与VCE 之间的关系。 由共发射极电流电压方程： E C B P N IB IC N E VCE 上式中： 或： 消去VBE ，得： 当 VBC = 0，或VBE = VCE 时， 在放大区，VBC 0 ，或VBE VCE ， ICEO 代表基极开路 ( IB = 0 ) 、集电结反偏 ( VBC 0 ) 时从发射极穿透到集电极的电流，称为共发射极反向截止电流，或共发射极穿透电流。　 共发射极输出特性曲线： 图中，虚线表示VBC = 0 ，或VCE = VBE ，即放大区与饱和区的分界线。在虚线右侧，VBC 0 ，或VCE VBE ，为放大区；在虚线左侧，VBC 0 ，或VCE VBE ，为饱和区。 3）两种输出特性曲线的比较 第一，共射极输出特性曲线中，较小IB的变化将引起较小IC的变化;第二，共射极输出特性曲线随VC