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* 第5章 场效应管放大电路 §1 结型场效应管 §2 绝缘栅场效应管 §3 场效应管放大电路的分析 §4 各种放大器件电路性能比较 结型场效应管(JFET) Junction type Field Effect Transistor 金属－氧化物－半导体场效应管(MOSFET) Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor 场效应管的分类: §1 结型场效应管 N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 1、结构及符号 D G S N沟道 G S D P沟道 扩散情况：NPNN 源极（S） 栅极（G） P区 漏极D N N 2、工作原理（以P沟道为例） P N N （1）设UDS=0V，UGS0V 随UGS的增大，耗尽区变宽，导电沟道变窄。 当UGS较小时，DS间相当于线性电阻。 UGS达到一定值时（夹断电压UP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断。 G S D UDS UGS ID P （2）设UDS0V，UGS0V 随UGS的增大，导电沟道上端更窄。 当UGS较小时，因为越靠近漏端，PN结反压越大，所以，DS间存在上窄下宽的导电沟道。 UGS达到一定值时，导电沟道上端被夹断（预夹断，此时，UGD=UP ）。 N N 随UGS的增大，导电沟夹断的部分向下延伸。 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 2、工作原理（以P沟道为例） G S D UDS UGS ID （3）由于受UDS的影响，导电沟道呈上窄下宽的形式，故总是沟道的上部先被夹断； 结论： （1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流； （2）输出电流ID受UGS控制，故场效应管是一种电压控制器件； （4）场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 2、工作原理（以P沟道为例） P N N G S D UDS UGS ID 3、特性曲线 饱和漏极电流 夹断电压 （1）转移特性 ID=f(UGS)|UDS ①饱和区中的各条转移特性几乎重合，通常我们就用一条曲线来表示。 ②经验公式： ID V mA V UDS UGS UGS 0 ID IDSS UP （2）输出特性曲线 ID=f(UDS)|UGS 预夹断曲线 恒流区 2V 0V 1V 4V 夹断区 UGS=3V ID -U DS 0 可变电阻区 UGS 0 ID IDSS UP 4、N沟道结型场效应管的特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V -2V V mA V UDS UGS ID 5、结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107Ω以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 一、结构和电路符号 G S D P N N N沟道增强型 G S D G S D P 沟道增强型 §2 绝缘栅场效应管 P N N S G D SiO2 Ai 高浓度 G S D N P P 二、MOS管的工作原理 UGS UDS N N G S D P UGS＝0时： UGS0时： UGS足够大时感应出足够多电子到P区的顶部， 出现以电子导电为主的N型导电沟道。 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 以N 沟道增强型为例 导电沟道刚形成对应的UGS ＝UT称为开启电压 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 ID≠0 二、MOS管的工作原理 UGS UDS N N G S D UGS＝0时： UGS0时： 对应截止区 以N 沟道增强型为例 导电沟道刚形成对应的UGS ＝UT称为开启电压 UDS增加，UGD=UT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为预夹断。 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID 当UDS较大时，靠近D端的导电沟道变窄。 P 三、 MOS管的特性曲线 0 ID UGS UT 输出特性曲线 ID=f(UGS)|UDS ID U DS 0 UGS=0 UGS=3 UGS=1 UGS=2 UGS=4 UGS=5 UGS UDS N N G S D P 转移特性 ID=f(UGS)|UDS 以N 沟道增强型为例 N N 四、耗尽型MOS管 G S D P + + + + + N 沟道耗尽型 预埋了导电沟道 P 沟道耗尽型 G S D G S D 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特