第五章HT异质结双极型晶体管.pptVIP

* 5.4 HBT应用展望 7、展望 SiGeHBT 低功耗和更高的开关速度； 在LF＆RF频段很低的噪声系数； 许多设计原来仅用GaAs技术实现．利用SiGe与Si工艺兼容的特点可能导致全新的设计； SiGe集成技术维系了Si工艺巨大的经济性。 5 异质结双极型晶体管(HBT) 本章内容 * 1.HBT的理论基础 2.HBT的制作方法与结构 3.典型结构HBT的性能 4.HBT的应用展望 5.1 HBT的理论基础 * 1951年,Schokley提出了宽禁带材料作晶体管发射结的原理 1957年,H.Kroemer：若发射区材料的禁带宽度大于基区的禁带宽度,可获得很高的注入比 1972年,Dumke利用液相外延方法制成了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 1978年Bell实验室利用MBE获得了调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构 1980年用MBE方法制成AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 5.1 HBT的理论基础 * 异质结双极晶体管（HBT）中心设计原理是利用半导体材料近代宽度的变化及其作用于电子和空穴上的电场力来控制载流子的分布和流动。 HBT应用于微波振荡器、低噪声放大器、功率放大器、信号混合器、分频器、MMIC、T/R组件、全球定位系统GPS)以及微波、毫米波的军用通信等领域。 5.2 HBT的制作方法和结构 * 目前用于制作HBT的方法主要是