第七讲：辐射探测器件.pptVIP

第5章 热辐射探测器件 5.1 热辐射的一般规律 1. 温度变化方程 2. 热电器件的最小可探测功率 5.2 热敏电阻与热电堆探测器 5.2.1 热敏电阻 2. 热敏电阻的原理、结构及材料 3. 热敏电阻的参数 （2）热敏电阻阻值变化量 （4）冷阻与热阻 （5）灵敏度（响应率） （6）最小可探测功率 5.2.2 热电偶探测器 1.热电偶的工作原理 2. 热电偶的基本特性参数 （2）响应时间 5.2.3 热电堆探测器 （3）最小可探测功率 5.3 热释电器件 5.3.1 热释电器件的基本工作原理 5.3.2 热释电器件的灵敏度 5.3.3 热释电器件的噪声 2. 放大器噪声 3. 温度噪声 4 响应时间 5.3.4 热释电器件的类型 2. 铌酸锶钡 (SBN) 热释电器件 3. 钽酸锂（LiTaO3） 4. 压电陶瓷热释电器件 5. 聚合物热释电器件 5.3.5 典型热释电器件 5.4 热探测器概述 思考题与习题 5 热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 (5－38) 可见，热释电器件的电压响应正比于热释电系数和温度的变化速率dT/dt，而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端，其等效电路为如图5-17所示。由等效电路可得热释电器件的等效负载电阻为 (5－39) 根据光电器件灵敏度的定义，热释电器件的电压灵敏度Sv为输出电压的幅值U与入射光功率之比，可得电压灵敏度为 式中，τe为电路时间常数，τT 为热时间常数。τe、τT的数量级为0.1～10s左右。A为光敏面的面积，α为吸收系数，ω为入射辐射的调制频率。 (5－46) 分析式(5－46)可以看出: (1) 当入射为恒定辐射，即ω＝0时，Sv=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏； (2) 在低频段ω＜1/τT或1/τe时，灵敏度S v与ω成正比，为热释电器件交流灵敏的体现。 (3) 当τe ≠ τT时，通常τe＜τT，在ω＝1/τT ~ 1/τe范围内，Sv与ω无关； (4) 高频段（ω＞1/τT、 1/τe）时，Sv则随ω-1变化。 因此在许多应用中，该式的高频特性近似为 (5－47) 即灵敏度与信号的调制频率ω成反比。 热释电器件的基本结构是一个电容器，因此输出阻抗很高，所以它后面常接有场效应管，构成源极跟随器的形式，使输出阻抗降低到适当数值。因此在分析噪声的时候，也要考虑放大器的噪声。这样，热释电器件的噪声主要有电阻的热噪声、温度噪声和放大器噪声等。 图5-18给出了不同负载电阻RL下的灵敏度频率特性，由图可见，增大RL可以提高灵敏度，但是，频率响应的带宽变得很窄。应用时必须考虑灵敏度与频率响应带宽的矛盾，根据具体应用条件，合理选用恰当的负载电阻。 热噪声电压为 (5－50) 当ωτe ＞＞1时，上式可简化为 2 2 (5－51) 表明热噪声电压随调制频率的升高而下降。 式中，k为波耳兹曼常数，TR为器件的温度，Δf为系统的带宽。 = 4 kTRΔf /Reff　 　　　　　　(5－48) 电阻的热噪声来自晶体的介电损耗和与探测器的并联电阻。 若等效电阻为Reff，则热噪声电流的方均值为 1. 热噪声 温度噪声来自热释电器件的灵敏面与外界辐射交换能量的随机性，噪声电流的方均值为 (5－53) 式中，A为电极的面积，Ad为光敏区的面积，为温度起伏的方均值。 如果这三种噪声不相关，则总噪声为 放大器噪声来自放大器中的有源元件和无源器件，及信号源的阻抗和放大器输入阻抗之间噪声的匹配等方面。设放大器的噪声系数为F，把放大器输出端的噪声折到输入端，认为放大器是无噪声的，这时，放大器输入端的噪声电流方均值为 Ik = 4k(F-1)TΔf/R　　　　 　　　　(5－52) 式中，T为背景温度。 2 考虑统计平均值时的信噪功率比为 (5－54) 如果温度噪声是主要噪声源而忽略其它噪声时，噪声等效功率为 (NEP)2＝(4kT 2G2Δf/α2A2γ2ω2R) [1+(TN/T)2] (5－55) 由上式可以看出，热释电器件的噪声等效功率NEP具有随着调制频率的增加而减小的