绝缘栅双极晶管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管.docVIP

绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。 一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理：??? 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。该器件符号如下： N沟道???????? P沟道图1-8：IGBT的图形符号注意，它的三个电极分别为门极G、集电极C、发射极E。 图1-9：IGBT的等效电路图。上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把MOS管和达林顿晶体管做到了一起。因而同时具备了MOS管、GTR的优点。二．绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特点：这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大。它的电流密度比MOSFET大，芯片面积只有MOSFET的40%。但速度比MOSFET略低。大功率IGBT模块达到1200-1800A/1800-3300V的水平（参考）。速度在中等电压区域（370-600V），可达到150-180KHz。三．绝缘栅双极晶体管(IGBT)的参数与特性：? （1）转移特性 图1-10：IGBT的转移特性这个特性和MOSFET极其类似，反映了管子的控制能力。? （2）输出特性 图1-11：IGBT的输出特性它的三个区分别为：靠近横轴：正向阻断区，管子处于截止状态。爬坡区：饱和区，随着负载电流Ic变化，UCE基本不变，即所谓饱和状