第5讲二极基本知识.pptVIP

典型的半导体材料 半导体的共价键结构 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净（99.99999％）的半导体单晶体。须在单晶炉中提炼得到。它在物理结构上呈单晶体形态, 绝对零度时，价电子无法挣脱本身原子核束缚，此时本征半导体呈现绝缘体特性。 本征激发 外电场使自由电子导电 杂质半导体 杂质半导体：为了提高半导体的导电能力，人为掺入某 些微量的有用元素作为杂质，称为杂质半导体。在提炼单 晶的过程中一起完成。掺杂是为了显著改变半导体中的自 由电子浓度或空穴浓度，以明显提高半导体的导电性能。 三价元素掺杂——P 型半导体 五价元素掺杂——N 型半导体 P 型半导体 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量硼、铟等三价元素。由于掺入量极微，所以硅的原子结构基本不变，只是某些硅原子被杂质替代了。该原子除外层的三个电子与相邻四个硅原子组成共价键结构外，还缺一个电子，留下一个空穴。所以，掺杂后的空穴数已远远地超过由热激发而产生的空穴数。因此，掺入三价元素后半导体中的空穴为多子，它主要由掺杂形成；电子为少子，它仍由热激发形成。称空穴型半导体或P型半导体。当相邻共价键上的电子受热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有可能填补这个空位，使硼原子成为不能移动的负离子，因为硼原子在硅晶体中能接受电子，故硼为受主杂质或P型杂质。 N 型半导体 N 型半导体 在本征半导体中掺入磷、砷等五价元素。由于掺入量极微，所以硅的原子结构基本不变，只是某些硅原子被杂质替代了。该原子除外层的四个电子与相邻四个硅原子组成稳定的共价键结构外，仍多出一个电子，所以，掺杂后的电子数已远远地超过由热激发而产生的电子数。因此，掺杂后半导体中电子为多子，主要由掺杂形成，空穴为少子，仍由热激发形成。称电子型半导体或N型半导体。多余的价电子易受热激发而挣脱共价键的束缚成为自由电子，磷原子成为正离子，磷、砷等称为施主杂质或N型杂质。 结论 由于掺入杂质使多子的数目大大增加，从而使多子与少子复合的机会大大增多。因此，对于杂质半导体，多子的浓度愈高，少子的浓度就愈低。可以认为，多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，因而它受温度的影响很小；而少子是本征激发形成的，所以尽管其浓度很低，却对温度非常敏感，这将影响半导体器件的性能。 小结 P型半导体中含有受主杂质，在室温下，受主杂质电离为带正电的空穴和带负电的受主离子。 N型半导体中含有施主杂质，在室温下，施主杂质电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 半导体的正负电荷数是相等的,他们的作用互相抵消,因此保持电中性。 掺杂产生的是多子，本征激发产生的是少子。 外加电压才显示出来 外加正向电压： P 区接电源正极，或使 P 区的电位高于N 区。P(＋) N(－) 外加反向电压 ： N 区接电源正极，或使得 N 区的电位高于 P 区。P(－) N(＋) PN结加正向偏置电压（正偏） PN结加反向偏置电压（反偏） PN结的单向导电性 PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 PN结的伏安特性---以硅二极管的PN结为例 PN结的反向击穿的物理本质 金属元素的原子之间形成金属键；金属和非金属原子间形成离子键；非金属原子间形成共价键；半导体原子间也形成共价键。 使晶格中的一个价电子变成自由电子所需要的能量叫做带隙能量。 空穴的迁移率比电子慢，在硅材料中是电子迁移的三分之一．在数字电路或高频模拟电路中，电子导电器件优于空穴导电器件． 金原子会在硅中产生高效的复合中心，因此以硅做成的高速二极管和晶体管中有时含有少量的金。 一个半导体可以既掺杂受主又掺杂施主，两种杂质哪一种多，就决定硅的类型和载流子的浓度。类似地加入受主杂质还可以将一个Ｎ型硅转化为Ｐ型硅。加入相反极性的杂质去改变半导体类型的过程叫做反掺杂。众多新型的半导体都是通过对硅有选择地进行反掺杂来形成Ｐ型或Ｎ型的区域。 扩散越强，空间电荷区越宽。 半导体器件是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 内建电位差从零点几伏到1伏。耗尽区的厚度由结两边的掺杂浓度决定。如果都是轻掺杂，为了产生足够的内建电位差，将要使足够的杂质原子分离，因此耗尽层的硅层较厚。重掺杂结的耗尽区薄。对称结和不对称PN结。扩散越强，空间电荷区越宽． 硼，铟，铝 磷，砷，锑 在一定温度条件下，空穴浓度与电子浓度的乘积为一常数． * 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 元素 硅（Si）、锗（Ge）