第八章 膜材料的制备.ppt

第八章 薄膜材料的制备 主要内容： 薄膜材料基础 薄膜的形成机理 物理气相沉积 化学气相沉积 化学溶液镀膜法 液相外延制膜法 膜厚的测量与监控 薄膜的生长过程分为以下三种类型： (1) 核生长型（Volmer Veber型） (2) 层生长型（Frank-Vanber Merwe型） (3) 层核生长型（Straski Krastanov型） 核生长型薄膜生长的四个阶段： a. 成核：在此期间形成许多小的晶核，按同济规律分布在基片表面上； b. 晶核长大并形成较大的岛：这些岛常具有小晶体 的形状； c. 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络 d. 沟道被填充：在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。 (3) 层核生长型（Straski Krastanov型） 特点：生长机制介于核生长型和层生长型的中间状态。当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下（准共格）多发生这种生长方式的生长。 在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式的生长。例如在Ge表面上沉积Cd，在Si表面上沉积Bi、Ag等都属于这种类型。 1.真空蒸发镀