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第九章 一、填空题 1、本征半导体自由电子浓度 空穴浓度；N型半导体的自由电子浓度 空穴浓度；P型半导体的自由电子浓度 空穴浓度（大于；小于；等于）。 2、P型半导体中空穴为________载流子，自由电子为________载流子。 3、 二极管最主要的电特性是 ，在常温下，硅二极管正向导通压降约为 ；锗二极管正向导通压降约为 。 4、下图所示各电路中二极管为理想二极管，则VD ，（导通；截止）， UAB= 。 5、如图电路中，D1为硅二极管，D2为锗二极管，则D1处于 状态，D2处于 状态。 6、若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为5V和9V，求图示电路的输出电压uO（忽略二极管正向导通电压）。 图a，u0= 图b，u0= 图c， u0= 7、判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求UAB（设二极管均为理想二极管） 图a：VD______，UAB=____。 图b：VD______，UAB=______。 二、选择题 1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于 。 A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 2、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于_________。 ? A 掺杂浓度 B 工艺 C温度 D 晶体缺陷 3、在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是 。 A、 一 个 B、二个 C、四个 D、六个 4、整流的目的是 。。 A、将交流变为直流 B、将高频变为低频 C、将正弦波变为方波 D、将直流变为交流 计算题 1、如图所示桥式整流电路，若u的波形是正弦波，试说明该电路的工作原理，并画出uo的波形。 解： u正半周，VaVb，二极管 1、3 导通，2、4 截止，uo=u； u 负半周，VaVb，二极管 2、4 导通，1、3 截止，uo=-u。 波形如下图所示： 2、如图所示，，二极管是理想的，试画出 uo 波形。 解：当 ui 8V，二极管导通，可看作短路， uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 第十章 一、填空题 BCE1、 该符号表示 （PNP、NPN）型晶体管。其中C为 ， B为 ，E为 B C E 2、三极管的三个工作区域是 、 、 。 3、当三极管作为开关使用时，其工作在 区和 区。若半导体三极管发射结正偏，集电结反偏，则该三极管工作在 区。 4、晶体管工作在 区时,相当于闭合的开关;工作在 时,相当于断开的开关。 5、NPN型晶体管处在放大状态时，三个电极以 电位高， 电位最低。 6、某晶体管的管压降UCE不变，基极电流为30 uA时，集电极电流等于3 mA；这时这只晶体管的β= 。 7、三极管出现饱和失真是由于静态工作点设置偏 ；出现截止失真是由于静态工作点设置偏 ；解决截至失真的办法是将RB调 。 二、选择题 1、射极跟随器具有_________特点。 A、电流放大倍数高　 B、电压放大倍数高　 C、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 D、电流放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 2、某NPN型三极管的输出特性如图所示， 当Uce=6V时，其电流放大系数β为 。 A、β=25 B、β=50 C、β=100 D、β=150 3、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，则此三极管为 。 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 4、PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。 A、 B、 C、 D、 5、在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,