第五章晶管的模型.ppt

5.3 二极管及其SPICE模型 5.4 双极型晶体管及其SPICE模型 5.5 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 5.5.2 MOS1模型(Level=1) MOS1模型衬底PN结电流公式 5.5.2 MOS2 模型 (Level=2) MOS3 模型 (Level=3) MOS电容模型 5)串联电阻对MOS器件的影响 5.5.3 短沟道MOS场效应管BSIM3模型(Level=49) 5.6 模型参数提取技术 漏区和源区的串联电阻会严重地影响MOS管的电学特性，串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压。SPICE2等效电路中插入了两个电阻rD和rS，它们的值可在模型语句：“．MODEL ”中给定，也可通过MOSFET中的NRD和NRS来确定 。 rD＝RshNRD rS＝RshNRS 式中，Rsh－漏扩散区和源扩散区薄层方块电阻 ； NRD—漏扩散区等效的方块数； NRS—源扩散区等效的方块数。 热噪声(thermal noise)是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为： 式中，Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为： 所以， ， 结论：增加MOS的