第八章半体表面b.ppt

第八章 半导体表面与MIS结构 1、 清洁Si表面的获得 在10-8～10-9Pa的超高真空状况下机械解理获得 实际表面 (Si-SiO2) 2、表面能级、表面态、表面态密度 （1）表面能级（达姆能级） （2）表面态 （3）施主表面态、受主表面态 表面态--表面引起的附加电子状态 (表面周期势场的中断, 表面杂质,表面缺陷) ①施主表面态 悬挂键上有电子—中性 施放电子后呈正电性 ②受主表面态 悬挂键上无电子—中性 得到电子后呈负电性 §2 表面电场效应 1、空间电荷区和表面势 采用MOS结构来研究表面电场效应 ?理想情况 ?金属半导体功函数差为零 ?绝缘层不导电无电荷 ?界面上无界面态 以p型Si为例，讨论表面电场效应 ① VG=0 平带状态 ② VG0 VG0 VG0，并进一步增大 2、表面电荷区的电场、电荷和电容与Vs的关系 假设：