半导体的表面界面及接触现象.PPT

第五章 半导体界面及接触现象－pn结 半 — 半接触 pn结被称为是“半导体器件的心脏” 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管； 利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管； 利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。 ?晶体二极管实际上就是一个pn结，三极管是两个靠得很近，背靠背的pn结组成；结型场效应管（如mos管）也是移用pn结的特性工作。 ? ???半导体集成电路中，还利用了pn结的有关特性制成了电路中的电阻、电容以及实现电路元器件间的隔离，从而使大规模集成电路的制作成为可能 一、p-n结的形成和杂质分布 * 固体物理 量子力学 统计物理 能带理论 平衡半导体 载流子输运 非平衡半导体 pn结 MS结 异质结 双极晶体管 pn结二极管 肖特基二极管 欧姆接触 JFET、 MESFET、 MOSFET、 HEMT 从物理到器件 肖特基二极管是金属－半导体结原理制作,具有低功耗、大电流、超高速半导体器件(反向恢复时间极短 ) 具有重掺杂窄带隙的基区，轻掺杂宽带隙的发射区，大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高，相位噪声低，线性度好，但它特别适合在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中应用。 p 型半导体和 n 型半导体结合在一起，在交界面处其杂质分布不均匀，形成 pn 结。 pn结利用控制杂质分布的工艺方法来实现 1．合金法 用合金法制备的p-n结一般为突变结； x N NA ND 突变结的杂质分布 xj P+n结 p n 用扩散法制备的p-n结一般为缓变结，杂质浓度逐渐变化。 2．扩散法 0 x N(x) NA(x) ND xj 扩散结 杂质分布由扩散过 程和杂质补偿决定 p n 线性缓变结：在扩散结中，杂质分布可用 x=xj 处的切线近似表示。 x xj ND-NA 线性缓变结近似 扩散结的杂质分布 但对高表面浓度的浅扩散结，用突变结近似 0 x NA ND N(x) 突变结近似 扩散结的杂质分布 xj { 突变结 缓变结 pn结 { 合金结 高表面浓度的浅扩散结 （p+n或n+p) 根据杂质分布 低表面浓度的深扩散结 二、平衡p-n结的特点 1．平衡p-n结的形成 P型材料的多子用ppo表示，少子为npo， N型材料的多子用nno表示，少子用pno表示 P N ° ? _ _ _ _ _ + + + + + E J扩 J漂 空间电荷 空间电荷区 （势垒区） 内建电场阻碍载 流子继续扩散 平衡后：J扩=J漂 形成恒定的电场，称为内建场，它存在于结区。 处于热平衡状态的结称为平衡结。 2．平衡p-n结的能带及势垒 当二者接触后，电子由N?P，空穴由P?N, (EF)n?，(EF)p? (EF)n=(EF)p=EF J扩=J漂 有一恒定的电场E，方向由N?P P N EF qVD EV EC n p Ei (EF)p (EF)n 平衡pn结能带图 VD－－ 平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差， 称为pn结的接触电势差或内建电势差 qVD－－ 相应的电子电势能之差，即能带的弯曲量， 称为pn结的势垒高度 势垒高度补偿了n区和p区的费米能级之差，使平衡pn结的费米能级处处相等。 0 x xn x -xp V(x) VD 平衡pn结中电势 取p区电势为零 对电子： P区电势比n区电 势高 x qV(x) 平衡pn结中电势能 Evp p n EF Evn Ecn -xp o x xn Ecp -qVD 假设：P区：Ec=Ecp Ev=Evp no=npo po=ppo N区：Ec=Ecn Ev=Evn no=nno po=pno 同质p-n结: 3. pn结的接触电势差(内建电势） 平衡时： ppo=NA , nno=ND T 一定，NA?, ND ?, 则 VD ? Eg ?, ni?, 则VD ? 例：若 NA = 1017 cm-3, ND = 1015 cm-3 则得室温下 Si 的 VD = 0.70 V