隧穿场效应管的特性分析及仿真开题报告.docx

word文档 可自由复制编辑 隧穿场效应管的特性分析及仿真开题报告 选题的背景与意义 随着MOSFET尺寸的不断缩小，器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗，隧穿场效应晶体管（TFET）和InGaAs?MOSFET成为了国际上的研究重点。与传统Si?MOSFET比较，TFET的室温亚阈值摆幅可以突破60mV/decade的限制，InGaAs材料的电子迁移率大约比Si材料的电子迁移率高一个数量级。虽然国际上对TFET和InGaAs?MOSFET已经做过很多研究工作，但是对上述器件的可靠性，国际上仍然缺乏了解。 随着超大规 模 集 成 电 路（ ＶＬＳＩ