清华模拟才电子课件第1章常用半导体器件.pptVIP

第 1 章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 2. P型半导体----------掺入三价元素 三、PN结的形成及其单向导电性 2、PN结的单向导电性 1.2 半导体二极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 三、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最高反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论一  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。设二极管导通电压UD=0.7V。 讨论二 五、稳压二极管 1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 2、电流分配关系 从外部看： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论三 1.4 场效应管 一、结型场效应管（以N沟道为例） 1.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 2.漏-源电压对漏极电流的影响 3.转移特性 4.输出特性 二、 绝缘栅型场效应管 （2）uDS对iD的影响 2. 耗尽型MOS管 3. MOS管的特性 4. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 三、主要参数 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c。 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。-----场效应管是电压控制器件 UGS（off） 为什么g-s必须加负电压？ uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off）。 为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？ (P44) g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 1. 增强型MOS管 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 （1）uGS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 (P4) uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ * 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 由于热运动（热激发），具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而