火工品第十二先进火工品技术.pptVIP

光不受电磁波的影响 光纤传输与电绝缘 结构简单 系统质量轻 排除桥腐蚀失效 后电阻效应 （2）激光点火原理 当激光作用于药剂表面时，一部分能量被反射，另一部分能量入射到药剂表面，并在极薄的表面药层内被吸收，这种吸收和反射主要取决于药剂的光学性质。由于光热效应，药剂所吸收的激光能量转化为热量，使其表面温度上升，发生热分解，甚至出现不可逆的燃烧化学反应。 （3）激光点火过程的三阶段 含能材料吸收入射激光能量，因为光热效应，药剂表面被加热； 含能材料因为被加热，发生凝聚相化学反应，温度继续升高； 不仅药剂表面发生凝聚相化学反应，而且表面上方也存在气相化学反应，这一阶段认为点火已经发生。 （5）激光点火/起爆系统的组成 （6）激光点火器类型 (a)插入式耦合 (b)接触式耦合 (c)间接式耦合 1－点火药 2－壳体 3－光纤 4－透窗 （7）光纤类型 （8）激光与含能材料作用类型 （9）激光点火器设计 1.激光点火器结构设计 三种结构的优缺点 2.激光点火器装药设计 美军标MIL－STD－1901中B/KNO3 是直列式点火系统唯一的许用点火药，因此激光点火器装药首选B/KNO3 。 装药设计包括：配比、压药压力、粒度及掺杂等。 （a）B/KNO3配比设计 （b） B/KNO3装药粒度和压药压力设计 （c）其它点火药的激光点火特性 （10）激光点火系统参数对点火特性的影响 1. 激光功率、波长和脉宽（激光参数）对点火特性的影响 功率大，表示单位时间内激光器传递给药剂的能量多，药剂表面得热速率较大。因此，可以缩短点火时间。但是随着功率增大，存在一个最小值。 药剂对激光能量的吸收具有波长选择性。对B/KNO3点火药，分别用808nm和980nm的激光进行试验，对应的功率阈值分别为0.32W和0.67W。 如果点火时间小于激光的脉宽，则脉宽的大小对点火时间没有影响；反之，则脉宽长，点火时间短。 2. 能量损耗对激光点火系统的影响 对于用光纤传输能量的激光点火系统来说，能量的损耗主要有：激光器－光纤耦合损耗、光纤传输损耗、光纤－光纤耦合损耗、光纤输出端面质量造成的损耗等。 前两个主要取决于激光器和光纤的制造水平，因此，在设计系统时，重点考虑后两种损耗对激光点火性能的影响。 3. 光纤直径对点火特性的影响 4. 激光点火系统可靠性裕度确定 激光点火系统的可靠性大于0.999 根据国外的经验，高可靠性下的刺激量的确定是通过裕度系数来保证的。 对激光点火器而言，裕度系数为2时就能可靠发火。 对系统而言，需考虑光纤损耗、接头损耗、耦合损耗对点火器的作用裕度后，才能得到系统作用可靠的激光能量。经折算，激光器功率约为点火器点火阈值的10倍时，激光点火系统才保证可靠作用。 5. 激光点火与桥丝点火性能的比较 12.2 激光起爆技术 （1）高能炸药的激光起爆方式 激光直接与高能炸药作用（与桥丝式电雷管在作用相似）； 激光通过炸药表面的薄金属膜的快速加热而作用（与EBW式电雷管作用相似）； 激光通过烧蚀一金属箔产生一高速飞片撞击高能炸药而作用（与EFI式电雷管作用相似）。 激光直接起爆炸药技术 实施途径： 一是用激光点燃起爆药完成爆燃转爆轰(不采用)； 二是采用全猛炸药的爆燃转爆轰结构 关键：窗口材料选择及密封工艺 窗口材料的选择基于：材料的折射指数、雷管所需密封强度、窗口材料的热导率、窗口与壳体之间的热膨胀关系等。蓝宝石、P玻璃 激光飞片雷管原理及设计 12.3 半导体桥火工品技术 （1）SCB火工品的作用机理 （2）半导体桥的结构和制造工艺 （3）半导体桥火工品基本特点 安全电流高 桥材料的负温度系数，有利于降低发火能量 桥热容小，有利于降低发火能量 瞬发度高 （4）半导体桥火工品设计 半导体桥设计 桥电阻1Ω，高掺杂7×1019个原子/厘米3，电阻率约为7.6×10－4Ω·cm 厚度：2μm，L/W＝1:3.8 电阻为1欧姆 典型尺寸为100 μm×380 μm×2 μm 半导体桥芯片加工工艺和封装结构设计 （1）半导体桥芯片加工工艺 （2）半导体桥封装结构设计 陶瓷封装，SCB芯片放在陶瓷塞的凹槽内，采用多股焊丝用超声波焊接。 （5）SCB火工品介绍 点火装置 起爆装置 动力源装置 装药为TiH1.65 /KClO4时，桥丝式和半导体桥推冲器性能对比 （6）SCB火工品的发展趋势 一是降低制造成本； 二是钝感化； 三是小型化，满足现代小型引信