霍尔元件简介.docVIP

实用标准文案 精彩文档 霍尔元件 霍尔元件可用多种 HYPERLINK /view/50720.htm \t _blank 半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层 HYPERLINK /view/2021072.htm \t _blank 半导体异质结构量子阱材料等等. HYPERLINK /view/282539.htm \t _blank 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。 HYPERLINK /view/282539.htm \t _blank 霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、 HYPERLINK /view/1139328.htm \t _blank 线性度好； HYPERLINK /view/1263514.htm \t _blank 霍尔开关器件无触点、无磨损、 HYPERLINK /view/700402.htm \t _blank 输出波形 HYPERLINK /view/451249.htm \t _blank 清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm 级）。采用了各种补偿和保护措施的 HYPERLINK /view/253549.htm \t _blank 霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。 UH=RHIB/d （18） RH=1/nq（金属） （19） 式中 RH—— HYPERLINK /view/1505706.htm \t _blank 霍尔系数： n——单位 HYPERLINK /view/274417.htm \t _blank 体积内载流子或自由电子的个数 q——电子电量； I——通过的电流； 霍尔元件 B——垂直于I的磁感应强度； d——导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。 由于通电 HYPERLINK /view/781460.htm \t _blank 导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，其优点是不与被测 HYPERLINK /view/134362.htm \t _blank 电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测 HYPERLINK /view/13542.htm \t _blank 电源的功率，特别适合于大电流传感。 利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。 霍尔元件应用 HYPERLINK /view/94204.htm \t _blank 霍尔效应的半导体。 2工作原理 　　霍尔元件应用霍尔效应的半导体。　　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在 HYPERLINK /view/558390.htm \t _blank 居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。　　利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:　　UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金属） （2）　　式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的 HYPERLINK /view/132250.htm \t _blank 磁感应强度；d――导体的厚度。　　对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。　　由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。　　若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。　　利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。　　如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。?[1] 3元件特性 1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH 在磁场不太强时，霍尔 HYPERLINK /view/529403.htm \t _bl