场效应三晶体管.pptVIP

* 场效应晶体管 场效应管的特点 结型场效应管 绝缘栅场效应管 第四章 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 （Field Effect Transistor）。 一、绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS管。 MOS管按工作方式分类 增强型MOS管 耗尽型MOS管 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 第四节 （一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 N N b-衬底引线 s g d P衬底 b SiO2绝缘层 g-栅极 S-源极 d-漏极 N型区 g g s s d d b b 箭头方向是区别N沟道与P沟道的标志 第四节 N沟道 P沟道 铝 2.工作原理 （1）感生沟道的形成 在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。 当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—漏源之间的导电沟道。 开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。 uGS g b 自由电子 反型层 耗尽区 第四节 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。 栅极和源极之间加正向电压 耗尽区 铝 SiO2 衬底 P型硅 g b uGS 受主