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工程碳纳米管和纳米管电路使用的电击穿 Philip G. Collins, Michael S. Arnold, Phaedon Avouris 碳纳米管表现出金属和半导体性质。碳纳米管有两大类，有许多同心碳壳的多壁碳纳米管（多壁碳纳米管），和由束或“绳结”连接成的单壁碳纳米管（单壁碳纳米管），都是由许多不同电子结构的弱耦合纳米管构成的复杂复合导体。在本文中，我们展示了一个简单可靠的方法来有选择性的从多壁碳纳米管和单壁碳纳米管移除单个碳壳，由此来定制这些复合碳纳米管的性质。我们可以从多壁碳纳米管中逐步的去壳和单独的塑造不同的壳。通过选择其中的一些壳，我们可以将一个多壁碳纳米管转换成金属导体或半导体，以及直接解决多壳运输问题。对于单壁碳纳米管的束，类似的选择允许我们仅仅根据部分半导体特性的单壁碳纳米管生成整个阵列的纳米场效应晶体管。 碳纳米管显示出几个重要的技术特征。金属（m）纤维纳米管可以承载非常大的电流密度（1,2）；半导体（s）纳米管可以作为场效应晶体管（FETs）的电开关（3,4）。这两种类型可能有共价键加入（5,6）。不幸的是，没有现存的可靠地方法来生成金属或半导体纳米管（或纳米管接头），无论通过选择性合成或通过合成后分离。由于缺乏控制，使碳纳米管的发展趋势束在一起，这被认为是基于纳米电子技术的主要障碍。 本文中，我们展示了一种简单可靠地方法来永久性的修改多壁碳纳米管和单壁碳纳米管绳，以调整这些绑定纳米管的性能（7）。我们的方法是使用电流感生电击穿来消除单个的壳体，每次一个。碳纳米管可以承受非凡的电流密度，超过109安培每平方厘米，在某种程度上是由于其强大的碳键。然而，在足够高的电流下，碳纳米管最终失败。在多壁碳纳米管试验中，这种失败发生在空气中一定的阈值功率时，通过快速氧化最外层的碳壳（8）。因为氧化没有缺陷的游离石墨只能在极高的温度下进行，因此可以得出结论，故障萌发的主要因素是电流诱导缺陷的形成，自动加热只是次要因素。 我们使用这个过程来打破携带电流纳米管的选择性，这并不影响平行纳米管载有小的或无电流。例如，多壁碳纳米管的电流分布有利于最外层的壳，因为它是直接接触外部电极。这种分布离开最深处的带有微量或无电流的壳，从而在电流感应氧化时保护它们。在一捆或单壁碳纳米管绳上，电流分布更均匀，因为许多单个纳米管可以同时良好的接触外部电极。一般来说，没有理由来说一些单壁碳纳米管比另外一些更好，但我们可以用一个静电耦合门电极来选择半导体单壁碳纳米管和耗尽它们的载流子。一旦耗尽，半导体单壁碳纳米管就会像多壁碳纳米管的内部壳一样免于破坏，高电流密度可以用来启动金属纳米管的氧化作用。 从这些复合导体中除去的碳壳可以用电学方法或显微镜进行观察。电学方法，单个碳壳的击穿发生在局部的电导下降，这通常发生在几毫秒内。当压力偏移的足够高时，一个接一个的碳壳会破碎，多个独立的下降发生。由此产生的阶梯式的电流作为时间的函数在图1A中显示，图中显示的为8个碳壳从多壁碳纳米管中被连续的移除。原子力或电子显微镜可以解释多壁碳纳米管和单壁碳纳米管绳逐渐变薄（图 2，B和C）。使用前一种方法可以确定多壁碳纳米管在变薄之前及以后的直径；随着破坏数量的观察，视直径成线性变化。 在实践层面上，这种破坏控制可以让我们有效地从单壁碳纳米管混合物中分离出半导体单壁碳纳米管，从而轻松生成基于纳米管技术的场效应管。更重要的是这个过程可以更深入的了解多壁碳纳米管和单壁碳纳米管绳的复杂电子结构和传输性质。移除压力时会出现个别电导率的变化，这些复合纳米线可能重新修复每种成分导体的损失。例如，多个互补运输的测量可以探测的的越来越深，已经深入到了多壁碳纳米管的内部壳，从而可以比较它不同壳的运输。在这里，我们首先描述代表实验结果，其中包含一个多壁碳纳米管，然后解决单壁碳纳米管设备。 一个多壁碳纳米管的不同壳被假定随机在金属态和半导体态之间选择（9）。我们通过控制低偏压和低温条件下的击穿来直接测试假设，这被认为这能探测多壁碳纳米管的最外侧壳（10,11）。在以前的单壁碳纳米管测量中（3,4），我们通过测量电导率G作为函数的栅电压Vg来区分半导体和金属壳，用一个相对小的，10毫伏的有源偏置。一个金属壳的的特征是一个基本是独立Vg的G，而一个半导体壳被门电压耗尽静电载流子。 图2显示的是在室温下特定多壁碳纳米管不同层的G(Vg)。最初，这个9.5纳米直径的金属多壁碳纳米管有n个壳。图2A显示了再去除三个最外层壳后强大的调制在G(Vg)的观察。去除第四层导致了一个金属G（Vg）和移除另一个产生的又一个半导体G（Vg）。我们解释这种变化是一个信号，这个信号是碳壳被移除时的交替特性。 G在一个特定的半导体壳没有下降到零仅仅是因为金属壳层仍在继续传到的作用。注意到n-3的G（Vg）最小损耗曲线与n