数电简明教程第二章 门电路.ppt

4. PN结的单向导电性 在PN结两端外加电压，破坏了平衡条件： 扩散电流≠漂移电流 ? PN结有电流流过 1）外加正向电压（ P区加正、N区加负电压） 2）外加反向电压（ P区加负、N区加正电压） * 补充：（1）N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 2. 符号 2. 1. 4 MOS 管的开关特性 * 2. 工作原理 栅极与衬底之间是绝缘层，形成电容。当栅源电压UGS变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，改变了由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，从而控制漏极电流ID的大小。 3. 特性曲线 (a)转移特性 (b)输出特性 UGSUGS(th) ，ID=0； UGS≥UGS(th)，形成导电沟道，随着UGS的增加，ID逐渐增大。 (当UGSUGS(th)时) 可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区、击穿区。 UGS(th) 2UGS(th） IDO UGS /V ID /mA O ID/mA UDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 击穿区 可变电阻区 夹断区 * 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬 底 iD /mA iD /mA -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 0 -10 -8 -6 -4 -2 - 3V - 4V - 5V uGS = - 6V -1 -2 -3 -4 -6 uGS /V uDS /V 可 变 电 阻 区 恒流区 漏极特性 转移特性 截止区 UTP uDS = - 6V 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 * 2. MOS管的开关作用： (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD * (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V iD * 二、动态特性 1. MOS 管极间电容 栅源电容 C GS 栅漏电容 C GD 在数字电路中，这些电容的充、放电过程会制约 MOS 管的动态特性，即开关速度。 漏源电容 C DS 1 ~ 3 pF 0.1 ~ 1 pF * VDD t 0 0.9ID 0.1ID t 0 VDD t 0 2. 开关时间 开通时间 关断时间 * * uY uA uB R0 D2 D1 +VCC +10V 2. 2 分立元器件门电路 2. 2. 1 二极管与门和或门 一、二极管与门 3V 0V 符号: 与门（AND gate) A B Y 0 V 0 V UD = 0.7 V 0 V 3 V 3 V 0 V 3 V 3 V 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 Y = AB 电压关系表 uA/V uB/V uY/V D1 D2 0 0 0 3 3 0 3 3 导通 导通 0.7 导通 截止 0.7 截止 导通 0.7 导通 导通 3.7 * 二、二极管或门 uY/V 3V 0V 符号: 或门（OR gate) A B Y ≥1 0 V 0 V UD = 0.7 V 0 V 3 V 3 V 0 V 3 V 3 V uY uA uB RO D2 D1 -VSS -10V 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 电压关系表 uA/V uB/V D1 D2 0 0 0 3 3 0 3 3 导通 导通 - 0.7 截止 导通 2.3 导通 截止 2.3 导通 导通 2.3 Y = A + B * 正与门真值表 正逻辑和负逻辑的对应关系： A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 A B Y = AB 负或门真值表 A B Y 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 A B