数电半导体存储器.ppt

  1. 1、本文档共34页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第七章 半导体存储器;第七章 半导体存储器;  存储器的存储媒介有多种,应用范围也非常广泛。;半导体存储器的特点与应用;二、分类 1、从存/取功能分: ①只读存储器 (Read-Only-Memory) ②随机读/写 (Random-Access-Memory) 2、从工艺分: ①双极型 ②MOS型 ;  1.存储容量   存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储1位(Bit)的信息,即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的,每一个字可包含多个位。;7.2 ROM 7.2.1 掩膜ROM 一、结构 ;二、举例 ;;两个概念: 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0” 存储器的容量:“字数 x 位数”;掩膜ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性;7.2.2 可编程ROM(PROM);7.2.2 可编程ROM(PROM);7.2.3 ???擦除的可编程ROM(EPROM);二、电可擦除的可编程ROM(E2PROM) 总体结构与掩膜ROM一样,但存储单元不同 ;三、快闪存储器(Flash Memory) 为提高集成度,省去T2(选通管) 改用叠栅MOS管(类似SIMOS管);  1.存储矩阵   将存储单元按阵列形式排列,形成存储矩阵。;7.3 RAM;二、SRAM的存储单元 ;7.3.2* 动态随机存储器(DRAM) 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 ;7.4 存储器容量的扩展;7.4.2 字扩展方式;;;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;用ROM实现组合逻辑函数;二、举例

文档评论(0)

dajuhyy + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档