一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计.PDFVIP

第 10 卷 第 3 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．10，No．3 2012 年 6 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Jun．，2012 文章编号： 1672-2892(2012)03-0359-04 一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计 张啸诚，邢建力 (厦门大学 信息科学与技术学院，福建 厦门 361000) 摘 要 ：介绍了一种 BiCMOS 工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源，其输 出电压为 1.2 V ，在-40 ℃~80 ℃ 范围内有较好的温度特性，温度漂移系数为 9.8×10-6