模拟电路第四章.ppt

  半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管BJT 二是场效应半导体三极管FET 一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 MOSFET也称绝缘栅型场效应三极管IGFET。 说明: 栅极g处于绝缘状态, Ig =0, Ri很高,约1015Ω,所以称绝缘栅型场效应管IGFET; 箭头方向表示P(衬底)指向N(沟道) 虚线代表增强型沟道 当栅极加有电压时，若 0＜vGS＜VGS(th) （VT）时，通过 栅极和衬底间的电容作用，将靠 近栅极下方的P型半导体中的空 穴向下方排斥，出现了一薄层负 离子的耗尽层。耗尽层中的少子 将向表层运动，但数量有限，不 (动画4-3-2） 足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能形成漏极电流iD。 vGS对漏极电流的控制关系可用 iD=f(vGS)?vDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图4.3.3。 图4.3.