模电,场效男应管放大电路.pptVIP

0 ID UGS VT 转移特性曲线 N沟道增强型MOS管的特性曲线 P N N G S D 予埋了导电沟道 N沟道耗尽型MOS管的符号 G S D 耗尽型 结构与增强型相同，只是绝缘层SiO2中掺有大量的正离子。这样，当VGS=0时,在正离子的作用下，P型衬底上感应出较多的电子,形成N沟道。 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 当VGS0时，PN结虽处于正向偏置，但绝缘层的存在不会产生正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，在VDS作用下ID更大。 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 N沟道耗尽型MOS管的工作原理 当VGS0时,沟道中感应电荷↓，从而在VDS作用下，iD↓；当VGS小到一定值时（负值），反型层消失，D--S间失去导电沟道。此时的VGS=VP（与JFET类似，故为耗尽型）。 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 0 ID UGS VP 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 P耗尽型 N P P G S D G S D 予埋导电沟道 P沟道耗尽型MOS管的符号 G S D P增强型 MOS管的主要参数 MOS管的主要参数与JFET基本相同。只是在增强型中不用夹断电压VP，而用开启电压VT，而耗尽型用夹断电压VP。 参见P208_209 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 MO