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- 2018-12-30 发布于福建
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模电第三章九二极管及其基本电路
{end} 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 3.3.2二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 开启电压:0.5V 导通电压:0.7 一、伏安特性 锗二极管2AP15的伏安特性 Uon U(BR) 开启电压:0.1V 导通电压:0.2V 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd(CB、 CD ) (5) 反向恢复时间TRR end 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解:由电路的KVL方程,可得 即 是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线 Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分
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