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pvd和cvd是有区别的!230 　　CVD与PVD的别及比别区 　　2009年03月06日 17:17 www.elecfans.co 作者,本站 用别别别; 0 , 别别字, 　　CVD与PVD的别及比别区 　　(一)别材, 化蒸别,别品、超硬合金、陶瓷 物理蒸别,高回火之工、模具别学装温 (二)蒸别度、别别及膜厚比别, 化蒸别,温学1000?附近～2~8小别～1~30μm(通常5~10μm)物理蒸别,400~600?～1~3小别～1~10μm (三) 物性比别,化蒸别皮膜之别合性良好～别别别之形及小孔隙都能蒸别～唯若用于工学状、模具别～因其蒸别度高于别料之回火度～故蒸别后需重施予火温温淬 　　,回火～不适用于具精密尺寸要求之工、模具。不需强度要求之别品、超硬合装金、陶瓷等别无上述别别～故能适用。物理蒸别皮膜之别合性别差～且背别金蒸别源属之别理别件别生蒸别不良别象～但其蒸别度可低于工、模具别的高回火度～且会温温温 　　其蒸别后之别形甚微～故适用于别高回火之精密工具、模具。 温 　　(4) 半别制程要,子布植 别别别 体概离 　　4.1前言 　　在半别别件工别中～常在半别晶中加入别别以控制别别别子目～增加别别性。别别体体体数来 　　加入别别的方法别别入别别称(Doping) 。 　　一般别～别入别别的方法有别, 来两 　　1. 化蒸别法 学 　　2. 别散法 　　3. 离子布植法 　　其中1、3两两别在微别子别件工别中已普遍使用～别别方法别别易别用～但却别牲了完整晶型的要求。如化蒸别法在别低度下别行～别蒸别别常别非晶别或是多晶别。子布学温离 　　植别造成别多表面有别多点缺陷～甚至使表面别别成非晶别～因此一般均别别一道恢别完整晶格的退火别理～使表面别能回别晶型的别子。 　　4.2原理 　　离将离靶会子布植是高能量别别粒子射入硅基晶中。子别入硅材后～和硅原子别生碰尽即与碰撞而逐别别失能量～直到能量耗别殆～停止在别深度。在硅原子撞别程中～离会份子别别部能量别硅原子～若此能量大于硅和硅别的别别能量～别可使其别生位移而别生新的入射粒子～别新别得别能的粒子～也其硅原子别生撞。别别别别会与它碰个碰 　　撞别程着不别入的入射子撞所别生的移别粒子～因不重新别生而别别别会随断离与碰断 　　行～别而到布植的效果。 达 　　　　4.3能量耗别机制 　　离离两个个离屏子布植别子能量的别耗～主要由机制别生,一是子被本身别子蔽后与靶称滞材原子核别的别性别别作用～又别原子核阻(Nuclear Stopping)～一另个是子材中之自由别子或被材原子束别之别子别的非别性交互作用～又别别子离与靶靶称 　　阻滞(Electronic Stopping)。整子能量的别失是由别分量所别成～可以个离两个 　　表示如下, 　　Stotal = Sn + Se Sn: 原子核阻滞, Se: 别子阻 滞 　　在球撞散射双体碰(Two Body Scattering)别程中～能量的别别是和粒子别的作双用位能有别～在Born-Mayer作用位能下是下列之型式, 　　Subscript别1及2～分别代表子材原子～离与靶Z别原子序～M别原子量。当离子速度大于K别别子的速度～根据Born理别是下列之型式, 　　在高原子序、中低入射能量情下～原子核阻别主要的能量别耗阻别机制。况滞与它 　　是二粒子近距的别行别别力作用～可用硬球别行别性撞描述。而在低原子离双体碰来 　　序、高入射能量的情下～入射子硅材中的别子云别生别距作用～能量别况离与靶将 　　耗在别子激别至高能上～别子阻别此情的主要阻别机制。子能量大速度快将滞即况离～别子阻也大～能量主要别耗在材别子的作用上～能量持别别耗～子速度也滞与靶当离 　　减离靶慢～使得子受别子阻别作用降低而能接近材的原子核～如此原子核阻别的能力成别主要耗能机制。在子布植别程中～只有在原子核阻别主要耗能机制别～离滞 　　才造成材硅原子别其晶格位置～而形成点缺陷或其聚合～甚至失去晶会靶离体体 　　别而别生非晶别别。而子能量在别子阻别别主要耗能机制别～不造成材构构当离并会靶 　　硅原子位移～致使晶别有所缺陷。以下附别以便了解别阻别的差别, 体构两滞 　　别(三) 不同形式撞下～子所行别之途 碰离径 　　4.4布植子在材中的别深分布 离靶 　　入射子在植入材的别程中～别由多次撞其所别之能量～别别别别至硅材。所离靶碰将靶 　　以别合整子布植别～能量别别是深度而有所别化～别可由别算机的而别得。个离随仿真 　　若是比别最大能量吸收位置～可知不和植入子分布的子别度最大别的位置重并离离 　　迭～而是别接近表面。也就是别布植别量别当靶足别别硅材别生非晶别硅别～其起始位置即离即在此能量吸收最大别的位置～而不是子别度最大别的位置。而非晶别硅～由此位置别始随两个