Ga掺杂δPu的密度泛函理论计算.docVIP

Ga掺杂S -pu的密度泛函理论计算 李大伟高云亮朱芫江李进平 火箭军工程大学中国科学院力学研宄所高温气体动 力学国家重点实验室 s -Pu为Pu的高温相，掺杂少量的Ga即可使其在室温下稳定存在。为了研宄Ga 掺杂的影响及其机制，文章采用密度泛函理论方法，对不同掺杂量体系进行了 晶体结构和电子结构计算，主耍包括体系的晶格常数、密度、形成能、态密度、 电荷密度和Mulliken布居分析。计算结果表明，在研宄范围内，Ga掺杂后，体 系晶格常数降低，密度增大，但6.25at%掺杂量的体系的稳定性高于3. 125at% 和12. 5at%掺杂量的体系掺杂使得Pti周围体系电子的局域性增强，成键能力 增强，这在一定程度上揭示了 Ga稳定5-Pu的电子机制。Ga和Pu之间为金属 键，发生的作用主要由Pu的7s、6p、6d和Ga的4s、4p轨道电子贡献，但这种 成键作用相对较弱，使得掺杂体系可以保持原有的力学性能和机械加工性能。总 体上来看，Ga对S-pu的稳定作用主要在于改善了 pu原子的成键性能，而不是 与Pu原子的直接成键作用。 关键词： Ga掺杂;S -Pu;晶体结构;电子结构;密度泛函理论; 李大伟(1994),男，河北蔚县，硕士研究生，核科学与技术专业 收稿曰期::年-月-曰； 基金：国家自然科学綦金资助项FI Density Functional The