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最全的材料晶体生长工艺汇总 提拉法 提拉法又称直拉法，丘克拉斯基 （Czochralski ）法，简称CZ 法。它是一种直接从熔体中 拉制出晶体的生长技术。用提拉法能够生长无色蓝宝石、红宝石、钇铝榴石、钆镓榴石、变 石和尖晶石等多种重要的人工宝石晶体。 提拉法的原理：首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温 度场，使熔体上部处于过冷状态；然后在籽晶杆上安放一粒籽晶，让籽晶下降至接触熔体表 面，待籽晶表面稍熔后，提拉并转动籽晶杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上，并在不 断提拉和旋转过程中，最终生长出圆柱状的大块单晶体。 提拉法的工艺步骤可以分为原料熔化、引晶、颈缩、放肩、等径生长、收尾等几个阶段。 具体过程如示意图。 提拉法晶体生长工艺有两大应用难点：一是温度场的设置和优化；二是熔体的流动和缺 陷分析。下图为提拉法基本的温度场设置以及五种基本的熔体对流模式。 在复杂的工艺条件下，实际生产需要调整的参数很多，例如坩埚和晶体的旋转速率，提 拉速率等。因此实际中熔体的温度场和流动模式也更复杂。下图是不同的坩埚和晶体旋转速 率下产生的复杂流动示意图。 这两大应用难点对晶体生长的质量和效率都有很大影响，是应用和科研领域中最关心的 两个问题。通常情况下为了减弱熔体对流，人为地引入外部磁场是一种有效办法，利用导电 流体在磁场中感生的洛伦兹力可以抑制熔体的对流。常用的磁场有横向磁场、尖端磁场等。 下图是几种不同的引入磁场类型示意图。 引入磁场可以在一定程度上减弱对流，但同时磁场的引入也加大了仿真模拟的难度，使 得生长质量预测变的更难，因此需要专业的晶体生长软件才能提供可靠的仿真数据。 晶体提拉法有以下优点： （1）在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件； （2 ）使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得优质取向的单晶； （3 ）晶体生长速度较快； （4 ）晶体光学均一性高。 晶体提拉法的不足之处在于： （1）坩埚材料对晶体可能产生污染； （2 ）熔体的液流作用、传动装置的振动和温度的波动都会对晶体的质量产生影响。 泡生法 泡生法又称为凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY 法。其原理与直拉法类似，先将 原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再把单晶种(SeedCrystal，又称籽晶)接触到熔汤表面，在 晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种具有相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往 上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶 种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后 整体凝固成一个单晶晶碇。下图是泡生法的设备装置示意图。 泡生法与提拉法最大的区别是，泡生法不以提拉为主要的长晶手段，泡生法在晶体生长 过程中只拉出晶体头部颈部，晶体其余部分依靠温度变化来生长，通过设置温度梯度使得熔 体结晶逐步往下进行，结晶界面始终在熔体中推移和扩展。下图左边是泡生法的生长过程示 意图，右边是生长开始和生长结束时候的示意图。可见泡生法生长环境比提