微电子器件 课后答案 (第三版).pdf

部分习题解答 部分物理常数： 1.6×10−19 C, 0.026V ( 300k), q kT q T εS (Si) 11.8=×8.854×10−14 1.045=×10−12 F cm, EG (Si) 1.09eV, ni (Si) 1.5=×1010 cm−3 , −14 −12 εS (Ge) 16=×8.854×10 1.417 =×10 F cm, E (Ge) 0.66eV, n (Ge) 2.4=×1013 cm−3 , G i ε 3.9=×8.854×10−14 3.453=×10−13 F cm OX shanren 第2 章 1 、在N 区耗尽区中，高斯定理为：   q E dA N dv ∫ ∫ D A ε V s 取一个圆柱形体积，底面在PN 结的冶金结面（即原点）处， 面积为一个单位面积，顶面位于x 处。则由高斯定理可得： q E E x N x − + ( ) max D ε s q 当x = xn 时，E(x) = 0，因此 Emax =− ND xn ，于是得： ε s q E x x =−x N 0 ≤x ≤x （2-5a ） ( ) ( n ) D ( n ) ε s shanren 3 、 kT N N 5 ×1032 (1) V ln A D 0.026×ln 0.739 V bi 2