内层显象制程概论原理.pptVIP

内层显象、蚀刻、剥膜 的 制程概论及原理 操作参数 显象液： 1.0±0.2wt% Na2CO3(碳酸钠)溶液 显象温度： 30±2℃ 显象时间： 45~50sec 显象喷压：1.0~2.0㎏/㎡ ※以上操作参数会因客户使用之干膜品牌、种类与厚度…的不同而有些许差异。（目前内层蚀刻使用之干膜其厚度约1.2mil,外层碱性蚀刻与电镀、盖孔使用之干膜其厚度约1.5or2.0mil） （2）PCB业者常用显象点（Break Point)的位置来控制正 确的显象度.一般干膜显象点均控制在显象槽全长(有效长度)之50%~75%之间. (3)当长期使用硬水或不当消泡剂后,易在槽壁和管路上生成难溶性的碳酸镁或碳酸钙等盐类结晶与沉淀物,因造成喷嘴阻塞,故须定期清槽.当结晶沉淀严重时,可购买专密的清洁剂来清洗桶槽与管路.(最好能以纯水或软水配制显象液) (4)由于显象液内干膜负荷与PH值呈线性关系,为了控制显象品质,通常会在显象槽中加装PH控制器,以添加新鲜的显象液来维持PH值的稳定,如此便可以达到一致的显象速度.由于PH sensor长期浸泡在显象液中,易有干膜沉淀物或盐类结晶附着其上,须特别注意PH sensor的定期清洗与校正. (9)显象点的控制由于显象速度受到许多因素影响,例如:浓度,负荷量,压力,温度…等.因此业者常用显象点的位置来控制正确的显象速度.显象点太前面,可能造成过度显象;显象点太后面,可能造成显象不洁.良好均匀度的机械设备及较稳定的制程控制,可以将显象点控制于较后面. 显象点(Break Point) 板子在显象过程中,未曝光聚合之干膜被显象液冲洗掉而显露出铜面时的位置,称为显象点.其所历经的冲洗路程,以占显象机有效长度的50~75%为宜,如此可在剩下的旅途中加强清除残膜的效果. 显象点测试 STEP1:测试板准备 准备Panel Size与线上生产板相同的裸铜板测试. 测试板的数量应足够供给3~4次测试之用,以利测试与调整. (显象机全长除以每片板子的板长,再乘以3~4倍) STEP2:干膜贴合或液态感光阻剂,液态感光绿漆涂布(双面) 全面测试时,测试板不可经过曝光(液态光阻须预烤,但不可曝光硬化),因曝光聚合的光阻无法显象. 线路测试时,可用生产底片对测试板进行曝光,但此做法其显象点较不易判断. STEP3:显象机操作参数确认 1% Na2CO3显象液 30±2℃ 喷压1.0~2.0㎏/㎡ 以“手动”模式启动显象机. STEP4:开始测试 ※ (干膜贴合板须先将Mylar撕下)将测试板一片接着一片投入显象机,板与板之间不留间隙. ※当第一片板子前端抵达显象机出料端时,将显象机之喷洒泵浦,摆动关闭,但不停止传动输送.使板子仍旧依序水洗,送出. ※将取出的板子依度排列,检视其上光阻剂的显象情形,可见到如下图形: STEP5:计算显象点位置 由显象机出料端往前计算L处,即为显象点位置. 显象点(1%)=〔（显象机全长-L）÷显象机全长〕×100% 调整喷压,显象液浓度,操作温度,产速…等操作参数,将显象点位置控制在50~75%之间. ※下面的测试调整方式与上面相同,须注意两面显象点位置不可差距太大. 蚀刻(Etch) 操作参数 蚀刻液:氯化铜(CuCl2)溶液 盐酸(HCl) 双氧水 (H2O2) 蚀刻温度:50±2℃ 蚀刻时间:90sec(loz.铜箔蚀刻) 蚀刻喷压:1.0~3.0㎏/㎡(分敬独立可调) ※以上操作参数会因客户使用之干膜品牌,种类与厚度及基板型式…的不同而有些许差异. 目的/功能 以酸性蚀刻液(氯化铜或氯化铁系)将铜箔基板上未覆盖蚀刻阻剂之铜面全部溶蚀掉,仅剩被硬化的油墨或感光阻剂保护的铜线路. 反应 a.蚀刻 Cu+ CuCl2 2CuCl b.再生 2CuCl+2 HCL+ H2O2 2CuCl+2 H2O2 籍由盐酸(HCL)及双氧水(H2O2)的添加,将氯化铜(CuCl)再生为氯化铜(CuCl2),使蚀铜反应能持续反覆地进行. 注意事项 (1)当双氧水(H2O2 )添加过量或双氧水与盐酸添加口过于接近时,双氧水将会与盐酸反应生成氯气(Cl2),氯气为浅黄录色气体,有毒且对人体呼吸器官有强烈刺激性;另外也会引起蚀刻机的操作及板子上对酸油墨的溶解等困扰,故须加以适当控制.(双氧水与盐酸添加口须保持一定距离(1M以上),且注意应分散添加.) (2)AQUA控制器之操作设定: 比重 S.G.=1.26~1.3