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2.3晶体管的高呢频小信号等效电路
二、 Y参数等效电路 EXIT EXIT 通信电子线路 合肥工业大学 Cbe rbb Cbc rbc rbe ube rce gm ub’e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 2.3 晶体管的高频小信号等效电路 rbb’—基区的体电阻 rb‘e —发射结电阻,约几百欧 cb‘e —发射结电容, 约20PF-0.01μF 、混合л型等效电路 gm —晶体管跨导,表示晶体管的放大能力,几十毫西门子以下 rce—晶体管c-e电阻,一般在几十千欧以上 Cbe rbb Cbc rbc rbe ube rce gm ub’e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 rb‘c —集电结电阻,约10kΩ~10MΩ。可忽略。 cb‘c —集电结电容,数值较小,约几个皮法 -表示晶体管放大作用的等效电流源 b c e 2.3晶体管的高频小信号等效电路 —— 输入导纳 —— 反向传输导纳 —— 正向传输导纳 —— 输出导纳 2.3晶体管的高频小信号等效电路 根据上式可以得到晶体管的Y参数等效电路。 注: , 是受控电流源, (1) 正向传输导纳 愈大,晶体管的放大能力愈强; (2) 反向传输导纳 愈大,晶体管的内部反馈愈强,减小 有利于放大器的稳定工作。 (3) 2.3晶体管的高频小信号等效电路 2.3晶体管的高频小信号等效电路 1 四、晶体管的高频参数
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