半导体光电子学课件下集45可见光.pptxVIP

§4.5 可见光LD 牛牛文库文档分享目的：条形码扫描器，激光扫描，Laser印刷，高密度光盘存储，水下通信。一.红光LD 1.波长 780nm 670nm为理论极限 牛牛文库文档分享 ① x↑Al含量↑ 直接带隙→间接带隙 不参加振荡的载流子比例↑，内 ↓， ↑ ② Al含量↑Al分凝系数大， 结晶质量↓ 热应力↑， ③ 要求有一定电导率，包层须掺杂，工艺难。 牛牛文库文档分享2. GaInP / GaAs or GaInP / GaAsP 工作波长600～730nm缺点：生长缺陷大，寿命短。 牛牛文库文档分享3. InGaAlP / GaAs 理论激射波长 580～650nm；在Ⅲ－Ⅴ族材料中能提供最大直接带隙，并与GaAs衬底晶格匹配。增益导引型激光器脊型双异质结条形耦合波导结构异质结势垒锁定激光器 牛牛文库文档分享 问题： ①电流从有源区向包层“溢出” ② InGaAsP / GaAs 结构的价带不连续值大 ③在Al含量增大之时，给结晶外延层带来困难，使解理面破坏阈值↓ ④热阻率大，对器件性能影响大， ↑缩短波长的方法： 在加大有源层 时，有源层和包层之间的带隙差便小，载流子溢出，因而： 牛牛文库文档分享 ①高掺杂P型包层能抑止载流子溢出； ②多量子阱结构对高能电子有很高反射率→改善高功率下温度特