CBD法和ED法制备CdS薄膜的研究.docVIP

CBD法和ED法制备CdS薄膜的研究 铜铟镓硒薄膜光伏电池（CuInl-xGa.xSe2，简称CIGS） 是上个世纪发展最为迅速的清洁的新型薄膜太阳能电池之-。自1974 年Bell实验室制备出第一块CIS太阳能电池以来，该类电池得以迅 速地研究、发展。CIGS是在CIS材料的基础上通过少量的Ga替代In 而形成的属于黄铜矿结构的直接带隙半导体材料。由于在膜厚方向调 整Ga的含量以形成梯度带隙半导体，进而扩大从红外到可见光响应 光谱的范围，短波光子得以有效利用，CIGS薄膜太阳电池的转换效 率得以大幅度的提高，因而成为最有前途的薄膜光伏材料，竞相成为 各国学者的研究热点 在CIGS薄膜光伏电池中，窗口层ZnO薄膜和吸收层CIGS薄膜直接 接触的太阳能电池的转换效率不高，若在两者之间添加一个缓冲层, 将极大的提高电池的转换效率。目前最常用和最高效率的缓冲层是 II-VI族化合物半导体CdS薄膜，它是N型直接带隙半导体，单晶禁 带宽度为2. 42eV,它在吸收层和窗口层之间形成过渡，减小两者之 间的带隙台阶和晶格失配、调整导带边失调值以及改善P-N结质量和 电池性能具有重要作用。那么如何获得性能好的缓冲层是该电池研究 的一个热点。 本实验采用化学水浴沉积（CBD）和电沉积（ED）制备CdS薄膜。CBD 法是以乙酸铵、乙酸镉、硫脲和氨水为原料，在钠钙玻璃上以自旋的 方式沉积CdS薄膜，