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In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究 秦国强李静雅赵茜史凯鹏张海军王君 石家庄铁道大学材料科学与工程学院 利用第一性原理计算In和Ta掺杂SnO2的晶体结构、电子能带和态密度。结果 表明Tn、Ta的加入，令费米能级上移进入导带，带隙值减小，红外吸收能力增 强；当In和Ta掺入量相同（12. 5%或25%时），表现为绝缘体性质；当In的含量 一定，Ta含量的增加会提高结构热稳定性，且表现为金属性质。 关键词： 第一性原理;SnO2;掺杂; 秦国强（1980-）:男，博士，副教授，主要从事材料学的研究。 :qgq@stdu. 2016-08-29 基金：国家大学生创新创业计划项目 The First Principles Study of In, Ta Co-doped Sn02 Qin Guoqiang Li Jingya Zhao Qian Shi Kaipeng Zhang Haijun Wang Jun School of Materials Science and Engineering， Shijiazhuang Tiedao University; Abstract： The crystal structure, energy band structure and density of states of In, Ta co-doped Sn02 is i