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第3章 半导体中载流子的统计分布 第3章 半导体中载流子的统计分布 第3章 半导体中载流子的统计分布 第3章 半导体中载流子的统计分布 第3章 半导体中载流子的统计分布§3.1 状态密度 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算单位能量范围所对应的k空间体积； 计算单位能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 3.1.2 状态密度 1.导带底E(k)与k的关系（单极值，球形等能面） 球面包含的量子态数 E是连续（准连续），求微分 导带底附近状态密度 价带顶附近状态密度 2. 对于各向异性，等能面为椭球面 椭球面包含的量子态数 晶体对称性，极值附近对应椭球不止一个，若有s个对称椭球，导带底附近状态密度 硅锗半导体等能面为椭球面，即 则状态密度（必记） mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn =1.08m0 对于Ge，s=4 mdn =0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 mdp称为价带顶空穴状态密度有效质量 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 (2) f(E)与 的关系 f(E)的数值取决于能级差E-EF，而E-E