太阳能电池原理及效率影响因素.pptxVIP

太阳能电池原理及效率的 影响因素;;;一、绪论;一、绪论;一、绪论;一、绪论;一、绪论;;随着温度的升高，开路电压会下降。 ;当硅片厚度在200um以上时，开路电压和硅片厚度是独立关系。 当硅片厚度小于200um时，随着硅片厚度的降低，开路电压随之减少！; 理论上最大的开路电压是由PN结的内建势垒电压所决定。内建势垒电压与半导体的禁带宽度Eg。导带能级Eo，价带能级Ev及费米能级Ef之间的关系为： ; 从上式可以看出如果费米能级越接近导带底和满带顶，则内建电压越高。但实际上开压VOC有一个峰值。 当顶区浓度过高时，会引起重掺杂效应，重掺杂效应的结果，会引起禁带宽度收缩，导致开路电压降低。; 禁带宽度是材料的固有属性。 对于硅，禁带宽度为1.12ev，理论上所得到的最大开压为700mv，相应的最高FF为84%。 ; 根据p-n结整流方程，在正向偏压下，通过结的正向电流为： IF=Is[exp(qV/kT)-1] 其中：V是光生电压，Is是反向饱和电流。 ;Io为反向饱和电流。 n：掺杂浓度。 Il：短路电流。 ;随着测试温度的升高，开路电压会变小。;适当的提高掺杂浓度能很好的提高开路电压； 但是，当浓度过大，引起重掺杂时，会使禁带宽度收缩，开路电压反而减小。; 因此，为了获得较好的电性能参数，必须选择合适的顶区掺杂浓度，使这一浓度能有较好的开路电压，同时又不致引起电场衰退。 这个掺杂浓度由于受禁带宽度，基体材料特性的影响，一般通过实验确定，选择最佳的掺杂浓度。;电流影响分为短路电流及暗电流的影响。 暗电流会降低开路电压，同时还会降低短路电流，暗电流的相关影响会详细介绍。; 结合以上我们知道开路电压主要受测试温度，硅片的厚度及材料的禁带宽度，电池工艺设计的掺杂浓度以及电流，包括短路电流，暗电流的影响。;; 增大光强直接增大了注入的太阳光光子流的数量。直接的提高了可激发电子空穴对数目，很好的提高了短路电流。;3.1提高吸光 3.1.2增大吸光;3.1提高吸光 3.1.2增大吸光;3.1提高吸光 3.1.2增大吸光;3.1提高吸光 3.1.2增大吸光; 太阳电池的特性极大的受到顶区和基区性能的影响。硅是一种非竖直跃迁的材料，他的吸收系数随着波长的变化较为缓慢。因此光谱中有很大一部分的光子将透过PN结，在基区内被吸收。 由此可见，硅太阳电池的性能一定程度上取决于基区情况。 ; 材料的禁带宽度越大，电池的开路电压越高，但由于能量小于禁带宽度的光子不能激发电子空穴对，因此随着材料的禁带宽度的增大，太阳光中产生光电流的光子比例也相应得降低，从而减弱光电流。;三、提高短路电流;在扩散区中，由于不活泼磷原子处于晶格间隙位置，会引起晶格缺陷，而且，由于磷和硅的原子半径不匹配，高浓度的磷会造成晶格缺陷。因此，在硅电池表层中，少数载流子的寿命极低，表层吸收短波光子所产生的光生载流子对电池的光电流输出贡献甚微，此表层称为‘死层’。; ‘死层’的存在是不可避免的，但是可以利用一些方法来减少‘死层’的影响。为了改善电池的短波光谱响应，可以将发射结结深做的很浅，以减少‘死层’的影响。消除死层，提高了短波光谱在顶区的光电效应。 ;制备浅结的器件能够相当可观的提高光电流。;当结深减少时，由于降低了复合损失，此外基区提供的光电流比顶区提供的大，因此顶区中高的表面复合速度和低的少子寿命对光电流的影响显得没那么重要了。 增加基区的电阻率，减少电离杂质的散射，有利于增大扩散长度和少子寿命，从而改善了光电流。;通过前面讨论知道降低暗电流可以有效的提高开路电压和短路电流。 暗电流分为注入电流，隧道电流和复合电流三种。 电池片的暗电流密度是注入电流密度，隧道电流密度和复合电流密度三者之和。 一般通过减少复合电流的方法来减少暗电流。 ; 在非平衡PN结中，有载流子越过势垒高度从N区注入P区或从P区注入N区而形成的电流，称为注入电流。; 他相当于载流子不必越过势垒高度，可以直接穿过禁带进入另一区域形成的电流。这种电流称为隧道电流。;实际上在势垒中，存在着电子和空穴的复合，产生复合电流。 工艺端能通过适当工艺手法减少复合电流的大小。 ;三、提高短路电流;三、提高短路电流;三、提高短路电流; 较长的少子寿命和扩散长度能提高电子空穴对的分离时间，能减少电子空穴对的