国际国内半导留体硅材料的发展.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ? 有关杂质在硅中的挥发 （1）当在真空下生长时，不但要考虑杂质在硅中的分凝效应，而且还要考虑到杂质在硅中的挥发效应。 杂质在硅中的分凝效应用下式表示： …………………………..(1) 杂质在硅中的挥发效应用下式表示： …….…..……………(2) 考虑这两种效应的综合效率，用下式表示： …………….(3) 上列各式中： CS—单晶中的杂质浓度。 CL—液体中的杂质浓度。 CO—最初始的杂质