半导体器件物理chapt31晶体管基本结构和杂质分布.pptVIP

§3.1 晶体管的基本结构和杂质分布 §3.2 晶体管的电流放大原理 以上各式就是晶体管的电流—电压关系，是均匀基区晶体管电流—电压基本方程。它们描 述了晶体管的各电流与外加偏压、晶体管的结构参数、工艺参数和制作晶体管的材料参数之 间的关系，是分析晶体管其他性能参数的基础。 半导体器件物理 第三章 双极型晶体管 晶体管的基本结构 晶体管种类繁多 按用途分：低频、高频、小功率、大功率、低噪声和高反压管等 按制造工艺：合金管、扩散管、离子注入管等 各种晶体管基本结构都相同：两种同导电类型的材料夹一反导电类型的薄层而构成，中间夹层的厚度必须远小于该层材料少数载流子的扩散长度，有NPN和PNP两种结构。 实际上是两个彼此十分靠近的背靠背的pn结，分别称为发射结和集电结 晶体管的制造工艺 一、 合金晶体管 Wb为基区宽度， Xje 和Xjc分别为发射结和集电结的结深 合金晶体管的主要缺点是基区宽度较宽，一般为10um，所以频率特性差，多工作于低频场合 二、 合金扩散晶体管 合金扩散晶体管的基区采用扩散法形成，基区宽度可以达到2-3um，同时基区杂质具有一定分布浓度，所以频率特性较好，可用于高速开关、高频放大等场合 三、 台面晶体管 集电结一般是扩散结，发射结可以用扩散法也可以用合金法制成。台面晶体管的基区可以做得更薄，而且采用条形电极，PN结面积更小，从而减小了PN结电容，具有比合金扩散晶