半导体物理 第3章 半导体中载流子的统计分布-赵老师..ppt

* 物理与光电工程学院 意义：施主能级上的电子，一部分用于填充受主能级，一部分被激发到导带中，还有一部分留在施主能级上。 (3.5-1) 此时电中性条件为： + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 低温电离区 未完全电离 完全填充 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 两边同时乘以 得： (3.5-2) (3.5-3) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 并设 得到方程： 解之得： (3.5-4) (3.5-6) (3.5--7) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 将上式右边第二项分子展开并取到第二项，得到： (a) 极低温下, NC’很小, N’CNA 电子浓度与ND-NA和NC成正比,且随温度的升高而增大 (3.5-8) 上式可以写为： 讨论 3.5 一般情况下的载流子浓度 (3.5-9) * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 + + + - - - EF EV ED EC 意义：电离的施主浓度等于导带上的电子浓度。 (3.4-7) 此时电中性条件为： 低温电离区 未完全电离 * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 上式可化为 解得： (3.4-8) (3.4-9) 费米能级与温度、杂质浓度和杂质性质有关 * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 不难看出： 当ND2NC时，EF在ED和EC之间的中线以下； 当ND2NC时，则EF位于ED和EC之间的中线以上，甚至可以进入导带低EC以上，即简并化。 得到低温弱电离区的电子浓度表达式： * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 测得n0与温度的关系，可以用上式求得电离能。 (3.4-11) 对(3.4-10)两边取对数，得 (3.4-10) (2)中间电离区 介于弱电离与完全电离之间的温度区 * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度  电中性条件： n0=ND (3)强电离(饱和电离)的温度区。 当温度升高到一定值后，有效施主杂质全部电离，但本征激发仍可忽略。 + + + + + + + - - - - - EF EV ED EC 饱和电离区 - - 代入，可得费米能级表示式为： 将n0的表示式： * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 (3.4-12) 显然，费米能级由温度和杂质浓度决定。 由于一般掺杂浓度下，NCND，费米能级在导带底以下。 (对硅和锗，NC：1018~1019/cm3) * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 （4）过渡温度区 此时，电中性条件变为： 半导体所处温度超过杂质饱和电离的温度区之后，本征激发不可忽略。随温度升高，因本征激发产生的载流子浓度迅速增加，ND与ni的数值可以相比拟，称这种情况为处于过渡温度区。 (3.4-13) + + + + + + + - - - - - EF EV ED EC + + - - - - + - 过渡温度区 * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 (3.4-14) (3.4-15) 将 解得过渡温度区的费米能级： 和 代入上式得到费米能级： 温度一定时，Ei和ni一定，EF可求。 * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 (3.4-16) 过渡区载流子浓度的计算： 联立方程： 解得： (3.4-17) (3.4-18) * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 可见电子浓度比空穴浓度大得多，这时半导体处于过渡区内靠近饱和区的一边。室温下，硅两者的浓度可以差十几个数量级。浓度大的称多数载流子，少的称少数载流子。 (3.4-19) 讨论： 不难解得： * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 电子浓度和空穴浓度大小相近，都近ni，这时半导体处于过渡区内靠近本征激发一边。 (3.4-19) 不难解得： * 物理与光电工程学院 3.4.3 n型半导体的载流子浓度 （4）高温本征激发区 温度继续升高，本征激发更为强烈，使半导体本征载流子浓度远多于杂质电离的载流子浓度， 即niND 时，称为杂质半导体进入了本征激发区。此时的电中性条件变为：n0＝p0，半导体与没有掺杂的本征半导体的情况基本相同。 + + + + + + + - - - - - EF EV ED EC + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 高温本征激发区 * 物理与光