原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
2016/6/8;;对于Si, Ge;*分布函数f(E);*导带电子浓度n;;*状态密度：;*价带空穴浓度p0;2016/6/8;*施主能级上的电子浓度nD;2016/6/8;电离了的受主杂质浓度( ionized acceptors );分析：;1. intrinsic semiconductor;结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央.;2016/6/8;电中性方程: ;两边取对数并整理,得:;2016/6/8;(本征激发不可忽略);(4)高温本征区;温 区 低温 中温 高温;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;例.一块补偿硅材料，已知掺入受主杂质浓度NA=1×1015cm-3,室温下测得其费米能级位置恰好与施主能级重合，并测得热平衡时电子浓度n0=5×1015cm-3 。已知室温下硅本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3。
试问：;;1 载流子浓度;费米积分;当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了.; 3 杂质带形成;2016/6/8
文档评论（0）