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化学气相沉积法 　　　　攻读博士、硕士学位研究生试卷（作业）封面 　　　　（ 2007至 2008 学年度第 1 学期） 　　　　科 目 真空技术与薄膜物理 　　姓 名 陈 建 彪 　　专 业 凝聚态物理 　　入学年月 2006年9月 　　　　薄膜制备方法-------化学气相沉积方法 　　　　陈建彪 　　　　（西北师范大学 物理与电子工程学院 凝聚态物理研究所） 　　　　摘要： 　　本文讨论了有关薄膜制备的方法。其中化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition (CVD) )是通过气相或者在基板表面上的化学反应，在基板上形成薄膜。用化学气相沉积法可以制备各种薄膜材料。选用适合的CVD 装置，采用各种反应形式，选择适当的制备条件可以得到具有各种性质的薄膜材料。一般来说，化学气相沉积方法更适合于半导体薄膜材料的制备。用化学气相沉积方法制备薄膜材料时，为了合成出优质的薄膜材料，必须控制好反应气体组成、工作气压、基板温度、气体流量以及原料气体的纯度等。温度和气体的组成比是控制CVD 反应的最重要的参数。并结合自己的研究方向，对CVD 法制备碳纳米管做了简单论述，做了相关文献的调研整理，进一步深入的了解化学气相沉积法。 　　关键词：薄膜制备、化学气相沉积法、碳纳米管 　　引言： 　　薄膜材料的制备方法和形成过程完全不同于块状材料，这些差别使它具有完全不同于块状材料的许多独特的性质，薄膜的制备方法分为物理方法和化学方法两大类。具体的制备方法的分类如图1所示。 　　薄膜制备方法的选择。蒸发粒子能量小的真空蒸镀方法，适用于制备半导体器件的配线电极和钝化膜等。采用蒸发粒子能量大的溅射沉积方法时，应考虑溅射损伤标准和防止损伤方法。但是，采用溅射沉积方法可以降低基板温度，得到用其他方法很难得到或者不能得到的新的薄膜材料。在制备过程中，若需要搀杂，可以采用真空蒸镀、溅射沉积和离子镀等物理方法可以制备几乎所有单元素的薄膜材料。在制备半导体薄膜材料中所遇到的主要问题是其组成、结晶性、杂质浓度及分布等。一般来说，化学气相沉积方法更适合于半导体薄膜材料的制备，目前通常采用CVD 方法制备各种半导体薄膜材料，其中包括化合 　　物半导体薄膜材料的制备。到底选择那种方法，可以根据所要制备的薄膜材料、基板材料以及应用要求慎重确定。 　　　　蒸发粒子能量小的真空蒸镀方法，适用于制备半导体器件的配线电极和钝化膜等。采用蒸发粒子能量大的溅射沉积方法时，应考虑溅射损伤标准和防止损伤方法。但是，采用溅射沉积方法可以降低基板温度，得到用其他方法很难得到或者不能得到的新的薄膜材料。在制备过程中，若需要搀杂，可以采用CVD 方法。此时用气体原料，可以得到均匀掺杂的薄膜材料。 　　　　正文： 　　一、化学气相沉积法 　　1、基本原理 　　化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition (CVD) ) 是通过气相或者在基板表面上的化学反应，在基板上形成薄膜。化学气相沉积方法实际上是化学反应方法，因此。用CVD 方法可以制备各种物质的薄膜材料。通过反应气体的组合可以制备各种组成的薄膜，也可以制备具有完全新的结构和组成的薄膜材料，而且即使是高熔点物质也可以在很低的温度下制备。 　　化学气相沉积方法和物理气相沉积的主要区别在于，CVD 方法伴随着某种化学反应过程： 　　　　2．反应形式 　　用化学气相沉积法可以制备各种薄膜材料、包括单元素物、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等。采用各种反应形式，选择适当的制备条件——基板温度、气体组成、浓度和压强、可以得到具有各种性质的薄膜构料。 　　化学气相沉积的化学反应形式．主要有热分解反应、氢还原反应、金属还原反应、基 　　板还原反应、化学输运反应、氧化反应、加水分解反应、等离子体和激光激发反应等．具 　　体见表4-2 　　表4-2 化学气相沉积的各种反应形式 　　　　3、反应参数 　　用化学气相沉积方法制备薄膜材料时，为了合成出优质的薄膜材料，必须控制好反应气体组成、工作气压、基板温度、气体流量以及原料气体的纯度等。 　　原料应选用室温下的气体或者具有很高蒸气压的固体和液体。如果在室温下得不到很高的蒸汽压，可进行加热；若在空温下蒸气压过高。可以进行水冷。常用的原料是氢化物、卤化物、有机金属化合物、或者使用它们和氧化剂、还原剂的混合气体。 　　气体的组成比对提高CVD 膜的质量和均匀性相当重要。在单质金属和硅薄膜的制备过中，浓度和生长速度关系密切；制备化合物薄膜时，气体组成和薄膜组成有直接关系；制备氧化物和氮化物薄膜时，一般采用大于化学当量比的氧和NH3的浓度；采用卤族化合物的氢的还原反应制备簿膜时由于这种反应为可逆反应，因此必须适